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塑封型晶體管與晶圓型晶體管有什么不同點？
塑封型晶體管與晶圓型晶體管有什么不同點？
塑封型晶體管與晶圓型晶體管在封裝形式、應用階段、性能特點、成本與可靠性等方面存在顯著不同，以下是具體分析：封裝形式與結構：塑封型晶體管：使用塑料材料封裝，將芯片密封在塑料外殼內(nèi)，僅露出引腳。封裝材料包括硅酮、環(huán)氧、改性環(huán)氧等，體積小、重量輕，具有絕緣防潮、防鹽霧等特點。晶圓型晶體管：處于未封裝的晶圓形態(tài)，芯片保留在制造時的完整晶圓上，包含......
晶圓型晶...
2025-04-28
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塑封型晶體管與晶圓型晶體管有何區(qū)別？
塑封型晶體管與晶圓型晶體管有何區(qū)別？
塑封型晶體管與晶圓型晶體管在封裝形式、應用場景、性能特點、成本及可靠性等方面存在顯著區(qū)別，以下為具體分析：封裝形式與結構塑封型晶體管：采用塑料材料封裝，將晶體管芯片密封在塑料外殼內(nèi)，僅露出引腳用于電路連接。這種封裝形式結構緊湊、體積小，能有效保護芯片免受外界環(huán)境因素（如濕氣、灰塵、機械沖擊等）的影響，提高晶體管的可靠性和穩(wěn)定性。晶圓型晶體......
塑封型晶...
2025-04-28
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芯片制造工藝流程：物理設計、晶圓加工、封裝測試
芯片制造工藝流程：物理設計、晶圓加工、封裝測試
摘要內(nèi)容一、芯片制造工藝流程概述芯片制造工藝是指將電子元器件集成在半導體材料上的過程。它是一個復雜而精細的過程，包括晶圓加工、光刻、薄膜沉積、離子注入等多個步驟。本文將從物理設計到封裝測試四個方面對芯片制造工藝流程進行詳細闡述。二、物理設計物理設計是芯片制造的第一步，它包括邏輯綜合和布局布線兩個主要階段。邏輯綜合將高級語言描述的電路轉化為......
芯片制造...
2024-02-21
13
芯片制造步驟設計、掩膜制作、晶圓加工和封裝測試
芯片制造步驟設計、掩膜制作、晶圓加工和封裝測試
芯片制造是電子工程領域中的重要環(huán)節(jié)，它涉及到多個步驟和技術，其中每一個細節(jié)都至關重要。本文將從四個方面對芯片制造步驟進行詳細闡述，包括設計、掩膜制作、晶圓加工和封裝測試。一、設計芯片的設計是整個制造過程的起點，它決定了芯片的功能和性能。在這一階段，電子工程師使用計算機輔助設計軟件（CAD）來創(chuàng)建芯片的原理圖和布局圖。原理圖描述了電路中各個......
芯片制造
2023-11-27
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2022年全球IC晶圓出貨量、收入創(chuàng)歷史新高
2022年全球IC晶圓出貨量、收入創(chuàng)歷史新高
　　　　全球硅晶圓出貨量和收入在 2022 年創(chuàng)下歷史新高。　　根據(jù)SEMI硅制造商集團(SMG)對硅晶圓行業(yè)的年終分析，2022年全球硅晶圓出貨量增長3.9%至147.13億平方英寸(MSI)，而同期硅片收入增長9.5%至138億美元，創(chuàng)下歷史新高。　　去年的MSI總量為14，713 MSI，而2021年出貨量為14，165 MSI，......
全球IC... IC晶圓 硅晶圓
2023-02-09
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模擬IP自動集成，調諧到晶圓廠節(jié)點
模擬IP自動集成，調諧到晶圓廠節(jié)點
　　過渡到更小的節(jié)點是模擬設計的主要絆腳石。　　具有異構電壓域的片上系統(tǒng) (SoC) 設計正越來越多地從定制模擬 IP 轉向自動化實現(xiàn)，因此設計工程師不必擔心手動模擬定制導致的進度延誤。它還為芯片設計人員節(jié)省了幾個月的設計過程，同時使模擬電路不易受到片上環(huán)境的影響。　　請務必注意，自動生成的模擬 IP 并不等同于現(xiàn)成的模擬 IP。相反......
模擬IP 片上系統(tǒng) 模擬仿真...
2023-02-03
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SiC和半導體垂直整合的復興
SiC和半導體垂直整合的復興
SiC（碳化硅）與半導體垂直整合的復興是當前半導體技術發(fā)展的重要趨勢，其背后的驅動力在于SiC材料的優(yōu)越性能和半導體垂直整合帶來的效率提升。以下是關于SiC和半導體垂直整合復興的詳細分析：一、SiC材料的特性與優(yōu)勢優(yōu)越的物理性能：SiC材料具有耐高壓、耐高溫、低損耗等優(yōu)越性能，這些特性使得SiC器件在處理高功率和導熱方面比傳統(tǒng)硅材料更為有......
電動汽車 碳化硅 晶圓
2022-12-29
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Soitec擴建新加坡晶圓廠以提高晶圓產(chǎn)能
Soitec擴建新加坡晶圓廠以提高晶圓產(chǎn)能
Soitec在新加坡的晶圓廠擴建項目是為了顯著提高其晶圓產(chǎn)能，以滿足全球日益增長的半導體需求。以下是關于該擴建項目的詳細分析：項目背景與目的：Soitec作為半導體材料領域的領軍企業(yè)，一直致力于提高產(chǎn)能以滿足不斷增長的市場需求。新加坡晶圓廠的擴建項目正是其全球戰(zhàn)略布局中的關鍵一環(huán)。擴建項目的主要目的在于增加300mm SOI（絕緣體上硅）......
Soit... 新加坡晶... 晶圓產(chǎn)能
2022-12-20
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SEMI：到2024年，全球IC行業(yè)預計將在新晶圓廠投資超過5億美元
SEMI：到2024年，全球IC行業(yè)預計將在新晶圓廠投資超過5億美元
針對您提到的SEMI關于全球IC行業(yè)在2024年的投資預測，實際上該預測金額存在顯著誤差。根據(jù)SEMI發(fā)布的報告和參考文章中的信息，正確的預測數(shù)字應該是超過5000億美元，而非5億美元。以下是關于這一預測的詳細概述：投資總額：SEMI預測，到2024年，全球半導體行業(yè)將在新晶圓廠投資超過5000億美元。這一數(shù)字基于2021至2023年間計......
SEMI 世界晶圓...
2022-12-13
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全球晶圓廠設備支出預計將在 2022 年達到創(chuàng)紀錄的 USD100B
全球晶圓廠設備支出預計將在 2022 年達到創(chuàng)紀錄的 USD100B
全球晶圓廠設備支出在2022年確實達到了一個創(chuàng)紀錄的高點，這主要是由于半導體市場的持續(xù)繁榮和不斷增長的需求所推動的。根據(jù)國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）的報告，這一支出預計將達到近1000億美元，具體來說，是1070億美元，這一數(shù)字顯示了半導體行業(yè)的強勁增長勢頭。以下幾點是對這一現(xiàn)象的詳細解讀：支出增長情況：2022年全球晶圓廠設備支出比去......
全球晶圓...
2022-10-12
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Soitec SmartSiC 晶圓加速 SiC 在電動汽車中的采用
Soitec SmartSiC 晶圓加速 SiC 在電動汽車中的采用
Soitec的SmartSiC晶圓技術正在加速碳化硅（SiC）在電動汽車中的采用。以下是對該技術的詳細解析：技術背景與優(yōu)勢：SiC是一種寬帶隙半導體，被視為電動汽車的技術加速器。它可以提高電子系統(tǒng)的功率密度，同時有助于減小汽車的整體尺寸、重量和成本[1]。SmartSiC是Soitec的專有技術，基于其專有的SmartCut工藝改編而來，......
Soit... Smar... 電動汽車
2022-10-12
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中國臺灣地區(qū)今年半導體產(chǎn)值預計增長 25.9%，達 1470 億美元
中國臺灣地區(qū)今年半導體產(chǎn)值預計增長 25.9%，達 1470 億美元
關于中國臺灣地區(qū)今年（即2024年）半導體產(chǎn)值預計增長25.9%，達1470億美元的說法，我進行了詳細核查，但并未直接找到這一具體數(shù)字的確切來源。不過，我可以根據(jù)現(xiàn)有的參考文章提供相關信息，并給出合理的分析。現(xiàn)有信息分析臺灣工研院的預測：2023年11月，臺灣工研院預測2024年臺灣半導體產(chǎn)值將達1516億美元，同比增長14.1%，創(chuàng)下新......
晶圓 上游材料 高端芯片
2021-11-29
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SEMI:明年或將有16座新建晶圓廠實現(xiàn)量產(chǎn)
SEMI:明年或將有16座新建晶圓廠實現(xiàn)量產(chǎn)
SEMI作為半導體行業(yè)的權威機構，其預測通常基于對當前市場趨勢、技術發(fā)展以及行業(yè)投資動態(tài)的深入分析。該預測可能受到了全球半導體市場持續(xù)增長、新技術應用（如電動車、物聯(lián)網(wǎng)、5G手機及數(shù)據(jù)中心服務器等）推動以及晶圓廠建設投資不斷攀升等多重因素的影響。二、預測內(nèi)容解讀新建晶圓廠數(shù)量：SEMI預測明年將有16座新建晶圓廠實現(xiàn)量產(chǎn)。這一數(shù)字反映了半......
數(shù)據(jù)中心... 存儲產(chǎn)能 微處理器
2021-11-26
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世界先進：8 英寸晶圓代工業(yè)務到 2026 年保持增長
世界先進：8 英寸晶圓代工業(yè)務到 2026 年保持增長
關于“世界先進：8英寸晶圓代工業(yè)務到2026年保持增長”的預測，這一觀點主要基于多個方面的因素，包括市場需求、產(chǎn)能擴張限制以及技術節(jié)點的發(fā)展等。以下是對這一預測的詳細分析：一、市場需求持續(xù)增長應用領域廣泛：8英寸晶圓代工業(yè)務在多個領域具有廣泛的應用，包括指紋識別傳感器芯片、電源管理芯片、MOSFET和顯示驅動芯片等。這些芯片在智能手機、電......
指紋識別... 電動汽車 顯示驅動...
2021-11-24
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浙江麗水中欣晶圓外延項目建設工程開工儀式隆重舉行
浙江麗水中欣晶圓外延項目建設工程開工儀式隆重舉行
浙江麗水中欣晶圓外延項目建設工程開工儀式的隆重舉行，標志著該項目正式進入實質性建設階段，對于麗水市乃至浙江省的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。中欣晶圓作為半導體材料領域的重要企業(yè)，其外延項目的建設不僅將提升麗水市的產(chǎn)業(yè)結構和經(jīng)濟發(fā)展水平，還將為當?shù)貏?chuàng)造更多的就業(yè)機會，促進人才聚集和技術創(chuàng)新。外延技術是半導體制造中的關鍵環(huán)節(jié)之一，對于提高芯片性......
集成電路 晶圓半導... 磁性技術
2021-11-19
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2022年晶圓代工產(chǎn)值有望達1176.9億美元，同比增長13.3%
2022年晶圓代工產(chǎn)值有望達1176.9億美元，同比增長13.3%
關于“2022年晶圓代工產(chǎn)值有望達1176.9億美元，同比增長13.3%”的預測，這一數(shù)據(jù)來源于多個權威機構和市場研究公司的報告，特別是集邦咨詢（TrendForce）的預測。以下是對該預測的詳細分析：一、預測背景市場研究機構：集邦咨詢是高科技產(chǎn)業(yè)市場研究領域的權威機構，其發(fā)布的預測數(shù)據(jù)在行業(yè)內(nèi)具有較高的可信度和參考價值。預測時間：該預測......
電子終端 Wi-F... 物聯(lián)網(wǎng)家...
2021-11-18
5
聚焦創(chuàng)新、智能、集成，三星晶圓代工與合作伙伴共創(chuàng)未來
聚焦創(chuàng)新、智能、集成，三星晶圓代工與合作伙伴共創(chuàng)未來
聚焦創(chuàng)新、智能、集成，三星晶圓代工與合作伙伴共創(chuàng)未來的努力體現(xiàn)在多個方面。以下是對此主題的詳細闡述：一、創(chuàng)新方面技術創(chuàng)新：三星晶圓代工在技術創(chuàng)新上不斷取得突破，例如其在全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管架構上的研發(fā)，這種架構在性能和良率方面正日趨成熟，為未來的芯片設計提供了堅實的基礎。三星還計劃引入集成化、共封裝光學技術，以實現(xiàn)高速、低功耗數(shù)據(jù)處......
電子設計... 生態(tài)系統(tǒng) 系統(tǒng)級芯...
2021-11-17
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GaN快充市場賽道提速，SRII交付半導體晶圓設備助力中國產(chǎn)能擴充
GaN快充市場賽道提速，SRII交付半導體晶圓設備助力中國產(chǎn)能擴充
GaN（氮化鎵）快充市場近年來確實在加速發(fā)展，其背后的驅動力主要來自于消費電子市場，尤其是智能手機、筆記本電腦等設備的快充需求不斷增長。SRII（此處可能指的是某家公司或品牌，但具體名稱可能因不同語境而有所變化，考慮到信息的準確性和通用性，我將直接討論相關技術和設備如何助力中國產(chǎn)能擴充）通過交付半導體晶圓設備，在這一領域發(fā)揮了重要作用。一......
GaN射... 鍍膜工藝 沉積鍍膜...
2021-11-02
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2022年晶圓代工產(chǎn)值將增長13%，芯片荒將現(xiàn)緩解跡象
2022年晶圓代工產(chǎn)值將增長13%，芯片荒將現(xiàn)緩解跡象
2022年晶圓代工產(chǎn)值預計將增長13%，這一預測主要基于TrendForce集邦咨詢發(fā)布的數(shù)據(jù)和分析。以下是關于這一預測及其背后原因的詳細分析：一、產(chǎn)值增長預測數(shù)據(jù)來源與預測值：根據(jù)TrendForce集邦咨詢發(fā)布的數(shù)據(jù)，預計2022年晶圓代工產(chǎn)值將達到1,176.9億美元，同比增長13.3%。（數(shù)據(jù)來源：TrendForce集邦咨詢，發(fā)......
圓制造設... 電子終端... 成熟制程
2021-11-01
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臺積電宣布推出N4P高性能工藝
臺積電宣布推出N4P高性能工藝
臺積電宣布推出N4P高性能工藝，這一決策在半導體行業(yè)中引起了廣泛關注。以下是關于N4P高性能工藝的詳細介紹：一、工藝背景推出時間：臺積電在2021年宣布推出N4P工藝，這是在其5nm制程技術基礎上的一個增強版。技術定位：N4P工藝是臺積電5nm家族的第三個主要強化版本，繼N5、N4之后，為市場提供了更多選擇。二、技術特點性能提升：相比原始......
晶體管 N4P工... 晶圓
2021-10-29
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