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ONSEMI
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onsemi 2N7000BU MOS管中文資料
onsemi 2N7000BU MOS管中文資料
onsemi 2N7000BU MOS管中文資料一、概述2N7000BU是由onsemi公司生產的一種N溝道增強型MOSFET。這種MOSFET因其低導通電阻和高輸入阻抗的特點，被廣泛應用于各種電子電路中，尤其適用于開關和放大電路。廠商名稱：onsemi元件分類：MOS管中文描述： 功率場效應管，MOSFET，N通道，60 V，200 m......
ONSE... 2N70... MOS管
2024-07-03
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onsemi BCP53T1G PNP雙極外延晶體管中文資料
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onsemi BCP53T1G PNP雙極外延晶體管onsemi BCP53T1G是一款高性能的PNP雙極外延晶體管。PNP晶體管由兩個p型半導體材料和一個n型半導體材料構成，中間的n型材料被兩個p型材料包夾。BCP53T1G屬于小信號晶體管，主要用于放大和開關應用中。廠商名稱：onsemi元件分類：三極管中文描述： 單晶體管雙極，通用，......
ONSE... BCP5... PNP雙...
2024-07-03
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ONsemi 1N4149開關二極管中文資料
ONsemi 1N4149開關二極管中文資料
ONsemi 1N4149 開關二極管中文資料1N4149 是 ON Semiconductor（ONsemi）生產的一款高效開關二極管，屬于小信號硅二極管家族。除了 1N4149 之外，該系列還包括以下常見型號：1N4148：這是最常見的型號，性能與 1N4149 類似，但在一些特定參數上可能有細微差別。1N4150：與 1N4149 ......
ONSE... 1N41... 開關二極...
2024-06-26
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onsemi SS13肖特基整流器中文資料
onsemi SS13肖特基整流器中文資料
onsemi SS13肖特基整流器中文資料一、型號類型onsemi SS13肖特基整流器是一種廣泛應用于電子電路中的器件，其主要特點是具有低正向壓降和高反向漏電流的特性。SS13是其中的一種常見型號，代表了肖特基整流器家族中的一個具體產品。SS13的命名中，“S”代表肖特基二極管（Schottky），第一個“1”表示其反向電壓為10V，“......
ONSE... SS13 肖特基整...
2024-06-26
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Onsemi 1N5349BG穩壓二極管中文資料
Onsemi 1N5349BG穩壓二極管中文資料
Onsemi 1N5349BG穩壓二極管Onsemi的1N5349BG是一種穩壓二極管，又稱齊納二極管。穩壓二極管是一種特殊類型的二極管，設計用于在特定反向電壓下穩定和限制電壓。在電子電路中，穩壓二極管常用于電壓調節和保護應用。1N5349BG是1N53XX系列的一部分，該系列的齊納二極管提供各種電壓范圍和功率能力，以滿足不同的電路需求。......
ONSE... 1N53... 穩壓二極...
2024-06-26
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onsemi MOC3083M光電耦合器中文資料
onsemi MOC3083M光電耦合器中文資料
onsemi MOC3083M 光電耦合器中文資料onsemi（安森美半導體）生產的MOC3083M是一種光電耦合器，屬于MOC308X系列中的一款。該系列的型號包括MOC3081M、MOC3082M、MOC3083M等。MOC3083M是該系列中較為常用的一款，它在設計上具有高度的可靠性和穩定性，適用于多種工業和消費類電子產品。在MOC......
ONSE... MOC3... 光電耦合...
2024-06-26
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Onsemi LM317LZG線性穩壓器中文資料
Onsemi LM317LZG線性穩壓器中文資料
Onsemi LM317LZG線性穩壓器一、簡介Onsemi LM317LZG是一款廣泛應用的線性穩壓器，主要用于電源管理系統中。它能夠提供可調輸出電壓，廣泛應用于工業控制、通信設備、儀器儀表等領域。廠商名稱：Onsemi元件分類：線性穩壓器中文描述： 線性電壓穩壓器，正值可調，40V主輸入，1.2V至37V/100 mA/1輸出，TO-......
ONSE... LM31... 線性穩壓...
2024-06-26
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onsemi 1N4006G快恢復二極管中文資料
onsemi 1N4006G快恢復二極管中文資料
onsemi 1N4006G快恢復二極管詳細資料1.型號類型及其特點onsemi 1N4006G是一款快恢復二極管，屬于通用整流器件。其型號中的“1N”表示通用整流二極管，后面的“4006”表示特定型號，而“G”則可能指示其采用快恢復技術。這種快恢復二極管在電子設備中廣泛使用，具有以下特點：快恢復特性：相較于普通流程，快恢復時間更短，有助......
ONSE... 1N40... 快恢復二...
2024-06-19
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onsemi ESDM1053 ESD保護二極管的介紹、特性、及應用
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onsemi ESDM1053 ESD保護二極管保護電壓敏感元件免受ESD的影響，具有一流的箝位，低泄漏和快速響應時間。onsemi ESDM1053封裝尺寸緊湊。該器件非常適合智能手機、智能手表和其他電路板空間有限的便攜式/可穿戴設備。特性低電容(5.5pF型，I/O到GND)01005尺寸:0.435mm × 0.230mm小體外形尺......
ONSE... ESDM... ESD保...
2024-03-28
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onsemi NXV08H350XT1 MOSFET模塊(雙半橋80V汽車功率MOSFET模塊)的介紹、特性、及應用
onsemi NXV08H350XT1 MOSFET模塊(雙半橋80V汽車功率M...
onsemi NXV08H350XT1 MOSFET模塊是一款雙半橋80V汽車功率MOSFET模塊，具有溫度傳感功能，適用于48V輕度混合動力汽車應用。該2相功率MOSFET模塊采用直接鍵合銅(DBC)襯底進行電隔離，以實現低Rthjc。NXV08H350XT1模塊設計緊湊，模塊總電阻低，系統設計小巧、高效、可靠，降低了車輛油耗和CO(2......
ONSE... NXV0... MOSF...
2024-03-07
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onsemi NTMFS005P03P8Z單p溝道功率MOSFET（功率負載開關）的介紹、特性、及應用
onsemi NTMFS005P03P8Z單p溝道功率MOSFET（功率負載開關...
onsemi NTMFS005P03P8Z單p通道功率MOSFET是功率負載開關，電池管理和保護(反向電流，過壓和反向負電壓)的理想選擇。NTMFS005P03P8Z在-55°C至+150°C結溫范圍內工作，提供-30V漏源電壓，10V導通電阻2.7毫歐和164A漏源/待機電流。onsemi NTMFS005P03P8Z封裝在5mm x ......
功率負載... ONSE... NTMF...
2024-03-07
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onsemi NDSH40120C-F155碳化硅肖特基二極管的介紹、特性、及應用
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onsemi NDSH40120C-F155碳化硅(SiC)肖特基二極管與硅相比具有卓越的開關性能和更高的可靠性。NDSH40120C-F155具有無反向恢復電流、不依賴溫度的開關特性和優異的熱性能。這種EliteSiC二極管提供了一個正的溫度系數和易于并聯。系統的優點包括效率高、工作頻率快、功率密度高、EMI低、系統尺寸小、成本低。應用......
ONSE... NDSH... 肖特基二...
2024-03-07
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onsemi NVHL060N065SC1單n溝道MOSFET的介紹、特性、及應用
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onsemi NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET是一款650V, 60毫歐(類型)和47A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設計，具有高熱性能。與硅相比，該MOSFET采用了一種全新的技術，提供了卓越的開關性能和高可靠性。此外，低導通電阻和緊湊的芯片尺寸確保低電容和柵極電荷。NVHL060N065SC1功率MO......
ONSE... NVHL... 單n溝道...
2024-03-06
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onsemi NVMFWS002N10MCL單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應用
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onsemi NVMFWS002N10MCL單n溝道功率mosfet具有177A連續漏極電流，2.8毫歐在10V R(DS(ON))和100V漏極源電壓。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm平面引線封裝，設計緊湊高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽車應用的理想選擇。特性占地面積小......
ONSE... NVMF... n溝道功...
2024-03-05
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onsemi NVMFS5C604N單n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應用
onsemi NVMFS5C604N單n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應用...
onsemi NVMFS5C604N單n通道功率MOSFET具有288A連續漏極電流，1.2毫歐在10V R(DS(ON))和60V漏源電壓。NVMFS5C604N采用5mm x 6mm平面引線封裝，設計緊湊高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽車應用的理想選擇。特性占地面積小(5mm x 6mm......
ONSE... NVMF... n溝道M...
2024-03-05
11
onsemi NC7SZU04A緩沖器的介紹、特性、及應用
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onsemi NC7SZU04A緩沖器是TinyLogic 超高速系列器件的一部分。onsemi NC7SZU04A具有專門的電路設計，適用于晶體振蕩器或模擬應用。利用先進的CMOS技術，該器件實現了超高速，具有強大的輸出驅動，同時在寬V(CC)工作范圍內保持低靜態功耗。該器件被指定在1.65V至5.5V V(CC)范圍內工作，在各種電壓......
ONSE... NC7S... 緩沖器
2024-03-05
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onsemi MC74HC1G04 CMOS單逆變器(硅柵CMOS技術)的介紹、特性、及應用
onsemi MC74HC1G04 CMOS單逆變器(硅柵CMOS技術)的介紹、...
onsemi MC74HC1G04 CMOS單逆變器采用硅柵CMOS技術。onsemi MC74HC1G04具有多個級，包括一個緩沖輸出，具有高抗噪性和穩定的輸出。輸出驅動電流為MC74HC系列的1/2。特性在V(CC) = 5V高速時，t(PD) = 7ns (type)當T(A) = +25℃時，I(CC) = 1A(最大值)高抗噪性......
ONSE... MC74... CMOS...
2024-03-05
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onsemi 50t65rqdn 650V 50A IGBT（第四代現場停止IGBT）的介紹、特性、及應用
onsemi 50t65rqdn 650V 50A IGBT（第四代現場停止IG...
onsemi 50t65rqdn 650V 50A IGBT是采用創新技術的第四代現場停止IGBT。onsemi 50t65rqdn為太陽能逆變器、UPS、焊機、電信、ESS和PFC應用提供最佳性能。該器件確保最小的傳導和開關損耗。特性T(J) = 175℃最高結溫正溫度系數，便于平行操作大電流的能力低飽和電壓V(CE(Sat)) = 1......
ONSE... 50t6... IGBT
2024-03-05
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onsemi NVTYS020N08HL功率MOSFET的介紹、特性、及應用
onsemi NVTYS020N08HL功率MOSFET的介紹、特性、及應用
onsemi NVTYS020N08HL功率MOSFET是一款80V, 20毫歐和30A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設計，具有高熱性能。該MOSFET具有低R(DS(ON))以最小化傳導損耗和低電容以最小化驅動器損耗。NVTYS020N08HL功率MOSFET通過aec - q101認證，具有ppap能力。該MOSFET適用于反向......
ONSE... NVTY... 功率MO...
2024-03-04
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onsemi NVTYS014N08HL功率MOSFET的介紹、特性、及應用
onsemi NVTYS014N08HL功率MOSFET的介紹、特性、及應用
onsemi NVTYS014N08HL功率MOSFET是一款80V, 13.9毫歐和40A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設計，具有高熱性能。該MOSFET具有低R(DS(ON))以最小化傳導損耗和低電容以最小化驅動器損耗。NVTYS014N08HL功率MOSFET通過AEC-Q101認證，具有ppap能力。該MOSFET適用于反向......
ONSE... NVTY... 功率MO...
2024-03-04
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