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ONSEMI
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onsemi NVMYS9D3N06CL功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NVMYS9D3N06CL功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NVMYS9D3N06CL功率MOSFET是一款60V, 9.2毫歐和50A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設(shè)計(jì)，具有高熱性能。該MOSFET具有低R(DS(ON))以最小化傳導(dǎo)損耗和低柵極電荷(Q(G))和電容以最小化驅(qū)動器損耗。NVMYS9D3N06CL功率MOSFET通過aec - q101認(rèn)證，支持ppap。該M......
ONSE... NVMY... 功率MO...
2024-03-04
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onsemi NVHL015N065SC1碳化硅MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NVHL015N065SC1碳化硅MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用...
onsemi NVHL015N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET采用新技術(shù)，提供卓越的開關(guān)性能和高可靠性。這種SiC MOSFET具有n溝道、高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系統(tǒng)尺寸。NVHL015N065SC1 MOSFET具有低ON電阻和緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和柵極電荷。該EliteSiC M......
ONSE... NVHL... 碳化硅M...
2024-03-04
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onsemi CEM102模擬前端(AFE)的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi CEM102模擬前端(AFE)是專為極低功耗連續(xù)血糖監(jiān)測(CGM)和類似的應(yīng)用使用安培測量，其中需要非常低的電流傳感。該傳感器具有小尺寸和低功耗，有助于進(jìn)一步小型化和延長各種終端應(yīng)用的電池壽命。CEM102模擬前端(AFE)旨在與onsemi RSL15藍(lán)牙 5.2無線MCU一起使用。該傳感器檢測傳感器狀態(tài)異常并喚醒主機(jī)處理......
ONSE... CEM1... 模擬前端
2024-02-28
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onsemi NVBLS0D8N08X單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NVBLS0D8N08X單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)...
onsemi NVBLS0D8N08X單n溝道功率mosfet封裝在5mm x 6mm平面引線封裝中，便于高效設(shè)計(jì)。onsemi NVBLS0D8N08X mosfet具有可濕性側(cè)面選項(xiàng)，用于增強(qiáng)光學(xué)檢查，確保質(zhì)量控制。mosfet通過AEC-Q101認(rèn)證，可用于汽車應(yīng)用。特性占地面積小(5mm x 6mm)低R (DS(上))低QG和電......
ONSE... NVBL... 單n溝道...
2024-02-28
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onsemi NVMYS4D5N04C單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NVMYS4D5N04C單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)...
onsemi NVMYS4D5N04C單n溝道功率mosfet專為汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)，采用5mm x 6mm LFPAK封裝。onsemi NVMYS4D5N04C實(shí)現(xiàn)了緊湊高效的設(shè)計(jì)，同時(shí)確保了高熱性能。mosfet通過AEC-Q101認(rèn)證，并具備PPAP能力，可用于需要增強(qiáng)板級可靠性的汽車應(yīng)用。特性低R (DS(上))低QG和電容通過AE......
ONSE... NVMY... 單n溝道...
2024-02-28
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onsemi NVMFS024N06C單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NVMFS024N06C單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)...
onsemi NVMFS024N06C單n溝道功率mosfet具有緊湊的設(shè)計(jì)，占地面積小，為5mm x 6mm。onsemi NVMFS024N06C mosfet是空間高效應(yīng)用的理想選擇，具有低R(DS(on))。mosfet最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，確保高效的電源管理。此外，低QG和電容有助于最大限度地減少驅(qū)動器損耗。特性低QG和電容低......
ONSE... NVMF... 單n溝道...
2024-02-28
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onsemi MC74VHC1G0x單雙輸入門的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi MC74VHC1G0x單2輸入門具有開路漏極輸出，設(shè)計(jì)緊湊，空間消耗最小。onsemi MC74VHC1G0x的輸入結(jié)構(gòu)可以抵抗高達(dá)5.5V的電壓，無論電源電壓如何，都可以實(shí)現(xiàn)5V和3V電路之間的無縫接口。此外，某些輸出配置可以保護(hù)V(CC)為0V或輸出電壓超過V(CC)等場景。這些強(qiáng)大的輸入和輸出結(jié)構(gòu)對于避免電源電壓不匹配......
ONSE... MC74... 單雙輸入...
2024-02-28
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onsemi NCP45732 ecoSWITCH保護(hù)電源開關(guān)的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NCP45732 ecoSWITCH保護(hù)電源開關(guān)的介紹、特性、及應(yīng)...
onsemi NCP45732 ecoSWITCH 保護(hù)電源開關(guān)具有浪涌電流限制和軟啟動功能，可有效管理電源域。onsemi開關(guān)具有集成控制功能，減少了組件和空間。該器件具有低導(dǎo)通電阻、故障保護(hù)和良好的電源信號。這些開關(guān)在低功耗的緊湊型應(yīng)用中具有成本效益。特性短路保護(hù)故障保護(hù)先進(jìn)的控制器與充電泵軟啟動通過回轉(zhuǎn)率控制極低的導(dǎo)通電阻2V至24......
ONSE... NCP4... 保護(hù)電源...
2024-02-28
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onsemi NC7WZU04A邏輯門(雙無緩沖逆變器)的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NC7WZU04A邏輯門是TinyLogic 超高速系列中的雙無緩沖逆變器。onsemi NC7WZU04A封裝在一個(gè)空間高效的SC70 6引線封裝中。該器件主要用于晶體振蕩器或模擬應(yīng)用，利用先進(jìn)的CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)超高速和高輸出驅(qū)動，同時(shí)在寬V(CC)工作范圍內(nèi)保持低靜態(tài)功耗。在1.65V至5.5V V(CC)范圍內(nèi)有效工作......
ONSE... NC7W... 無緩沖逆...
2024-02-28
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onsemi NCP51313柵極驅(qū)動器的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NCP51313柵極驅(qū)動器的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NCP51313柵極驅(qū)動器是高性能的130V高壓驅(qū)動器，專為DC-DC電源和逆變器設(shè)計(jì)。onsemi NCP51313具有強(qiáng)大的2.0A源和3.0A匯聚驅(qū)動能力。該裝置在高頻率下提供高效電力方面表現(xiàn)出色。NCP51313具有一流的特性，包括低靜態(tài)電流和低開關(guān)電流，確保了最佳性能。特性2.0A/3.0A電流能力非常快的傳播延遲......
ONSE... NCP5... 柵極驅(qū)動...
2024-02-28
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onsemi NCD57100柵極驅(qū)動器的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NCD57100柵極驅(qū)動器的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NCD57100柵極驅(qū)動器是具有內(nèi)部電流隔離的大電流單通道IGBT驅(qū)動器。onsemi NCD57100專為提高高功率應(yīng)用中的系統(tǒng)效率和可靠性而設(shè)計(jì)。顯著的特點(diǎn)包括互補(bǔ)輸入、漏路故障和READY輸出。NCx5710y變體在輸入端可容納5V和3.3V信號，在驅(qū)動端具有寬偏置電壓范圍，包括負(fù)電壓能力。特性高電流輸出(±7A)在米......
ONSE... NCD5... 柵極驅(qū)動...
2024-02-28
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onsemi nvh045n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi nvh045n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi nvh045n065sc1碳化硅(SiC) mosfet采用EliteSiC技術(shù)，提供卓越的開關(guān)性能。與傳統(tǒng)的硅mosfet相比，onsemi NVHL045N065SC1具有更高的可靠性。mosfet的低ON電阻和緊湊的芯片尺寸導(dǎo)致低電容和柵極電荷，有助于高效率，快速工作頻率，增加功率密度，減少電磁干擾(EMI)，以及更緊......
ONSE... nvh0... 碳化硅M...
2024-02-28
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onsemi nvh025n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi nvh025n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi nvh025n065sc1碳化硅(SiC) mosfet是EliteSiC 25毫歐， 650V mosfet，提供卓越的開關(guān)性能。與硅相比，onsemi nvh025n065sc1具有更高的可靠性和低導(dǎo)通電阻。mosfet緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括高效率、快速工作頻率、增加功率密度、減少EMI和減......
ONSE... nvh0... 碳化硅M...
2024-02-28
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onsemi NL7SZ58可配置多功能門(高速CMOS器件)的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NL7SZ58可配置多功能門(高速CMOS器件)的介紹、特性、及應(yīng)...
onsemi NL7SZ58可配置多功能門是一款先進(jìn)的高速CMOS器件，允許用戶選擇邏輯功能AND, OR, NAND, NOR, XOR, INVERT和BUFFER。該設(shè)備具有施密特觸發(fā)輸入，從而增強(qiáng)了抗噪聲能力。NL7SZ58輸入和輸出結(jié)構(gòu)在電壓高達(dá)5.5V時(shí)提供保護(hù)，無論電源電壓如何。應(yīng)用程序包括用于手持設(shè)備的通用邏輯，包括pda......
高速CM... ONSE... NL7S...
2024-02-27
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onsemi NL17SZS11單3輸入與門具有施密特觸發(fā)器的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NL17SZS11單3輸入與門具有施密特觸發(fā)器的介紹、特性、及應(yīng)用...
onsemi NL17SZS11單3輸入與門具有施密特觸發(fā)器在一個(gè)很小的封裝(SC-88)。工作在-55°C至+125°C的溫度范圍內(nèi)，NL17SZS11設(shè)計(jì)用于1.65V至5.5V (CC)(電壓公共收集器)工作。輸入和輸出的過壓容忍度高達(dá)5.5V。應(yīng)用包括I/O接口、PMBus、手機(jī)和汽車。特性設(shè)計(jì)為1.65V至5.5V V(CC)工......
ONSE... NL17... 施密特觸...
2024-02-27
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onsemi NL17SZU04A單無緩沖逆變器的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NL17SZU04A單無緩沖逆變器的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NL17SZU04A單無緩沖逆變器的工作電壓為1.65V至5.5V，可采用SC70/SC88a/SOT-353封裝或微小的1.6mm x 1.6mm x 0.6mm SOT553封裝。NL17SZU04A逆變器適用于一般用途，適用于許多不同的應(yīng)用。工作溫度范圍為-55°C至+125°C，輸入過壓容限高達(dá)5.5V。特性設(shè)計(jì)為1......
ONSE... NL17... 無緩沖逆...
2024-02-27
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onsemi NL7SZ19 1對2解碼器/解復(fù)用器的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NL7SZ19 1對2解碼器/解復(fù)用器的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NL7SZ19 1對2解碼器/解復(fù)用器適用于各種低功耗解碼應(yīng)用。NL7SZ19為1對2解碼器，當(dāng)輸出使能(EB)低時(shí)，器件將輸入a處的數(shù)據(jù)傳遞到輸出Y0(真)和Y1(補(bǔ))。該器件還可以用作1對2解復(fù)用器。作為解復(fù)用器，根據(jù)a的狀態(tài)，輸入EB的數(shù)據(jù)被路由到Y(jié)0或Y1。NL7SZ19工作電壓范圍為1.65V至5.5V，采用亞微米......
ONSE... NL7S... 1對2解...
2024-02-27
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onsemi NVXR22S90M2SPx Elite SiC電源模塊的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NVXR22S90M2SPx Elite SiC電源模塊的介紹、特...
onsemi NVXR22S90M2SPx EliteSiC電源模塊以緊湊兼容的封裝提供更高的性能、效率和功率密度。onsemi NVXR22S90M2SPx模塊采用六封裝配置的900V SiC MOSFET，具有壓合引腳，易于組裝并增強(qiáng)了可靠性。該器件包括一個(gè)優(yōu)化的底板上的引腳翅片散熱器，并利用燒結(jié)技術(shù)來提高可靠性和熱效率。該模塊的設(shè)計(jì)......
ONSE... NVXR... SiC電...
2024-02-20
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onsemi NVXR17S90M2SPx Elite SiC功率模塊的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NVXR17S90M2SPx Elite SiC功率模塊的介紹、特...
onsemi NVXR17S90M2SPx EliteSiC功率模塊可提高效率、功率密度和整體性能。onsemi NVXR17S90M2SPx模塊將900V SiC MOSFET集成在一個(gè)方便的六封裝配置中。該模塊具有用于信號端子的壓合引腳，易于組裝并提高了可靠性。此外，該器件在底板中包括一個(gè)優(yōu)化的引腳翅片散熱器，用于有效散熱。模具附件采......
ONSE... NVXR... SiC功...
2024-02-20
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onsemi NTJD5121N/NVJD5121N雙N-Ch功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NTJD5121N/NVJD5121N雙N-Ch功率mosfet的...
onsemi NTJD5121N/NVJD5121N雙N-Ch功率mosfet具有較低的RDS(on)、柵極閾值和輸入電容。onsemi NTJD5121N/NVJD5121N mosfet具有60V漏源電壓和295A最大連續(xù)漏極電流。NTJD5121N/NVJD5121N具有AEC-Q101認(rèn)證和PPAP功能，是汽車應(yīng)用的理想選擇。特性......
ONSE... NTJD... NVJD...
2024-01-30
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