您現在的位置： 首頁 > 標簽 > n溝道功率mosfet
n溝道功率mosfet
n溝道功率mosfet
相關文章 : 2篇 瀏覽 : 21次

臺積電TSM600NA25CIT n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應用
臺積電TSM600NA25CIT n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應用
臺積電TSM600NA25CIT n溝道功率MOSFET是采用Trench技術構建的250V低壓單配置MOSFET。該MOSFET具有22A連續漏極電流，60毫歐漏極源電阻，78W功耗和71nC柵極電荷。TSM600NA25CIT MOSFET提供22pF反向傳輸電容，無鉛，無鹵素，符合RoHS標準。該功率MOSFET是不間斷電源(UPS......
臺積電 TSM6... n溝道功...
2024-03-25
14
onsemi NVMFWS002N10MCL單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應用
onsemi NVMFWS002N10MCL單n溝道功率mosfet的介紹、特性...
onsemi NVMFWS002N10MCL單n溝道功率mosfet具有177A連續漏極電流，2.8毫歐在10V R(DS(ON))和100V漏極源電壓。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm平面引線封裝，設計緊湊高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽車應用的理想選擇。特性占地面積小......
ONSE... NVMF... n溝道功...
2024-03-05
7
onsemi NVMFS5C604N單n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應用
onsemi NVMFS5C604N單n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應用...
onsemi NVMFS5C604N單n通道功率MOSFET具有288A連續漏極電流，1.2毫歐在10V R(DS(ON))和60V漏源電壓。NVMFS5C604N采用5mm x 6mm平面引線封裝，設計緊湊高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽車應用的理想選擇。特性占地面積小(5mm x 6mm......
ONSE... NVMF... n溝道M...
2024-03-05
12
onsemi NVBLS0D8N08X單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應用
onsemi NVBLS0D8N08X單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應...
onsemi NVBLS0D8N08X單n溝道功率mosfet封裝在5mm x 6mm平面引線封裝中，便于高效設計。onsemi NVBLS0D8N08X mosfet具有可濕性側面選項，用于增強光學檢查，確保質量控制。mosfet通過AEC-Q101認證，可用于汽車應用。特性占地面積小(5mm x 6mm)低R (DS(上))低QG和電......
ONSE... NVBL... 單n溝道...
2024-02-28
19
onsemi NVMYS4D5N04C單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應用
onsemi NVMYS4D5N04C單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應...
onsemi NVMYS4D5N04C單n溝道功率mosfet專為汽車應用而設計，采用5mm x 6mm LFPAK封裝。onsemi NVMYS4D5N04C實現了緊湊高效的設計，同時確保了高熱性能。mosfet通過AEC-Q101認證，并具備PPAP能力，可用于需要增強板級可靠性的汽車應用。特性低R (DS(上))低QG和電容通過AE......
ONSE... NVMY... 單n溝道...
2024-02-28
16
onsemi NVMFS024N06C單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應用
onsemi NVMFS024N06C單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應...
onsemi NVMFS024N06C單n溝道功率mosfet具有緊湊的設計，占地面積小，為5mm x 6mm。onsemi NVMFS024N06C mosfet是空間高效應用的理想選擇，具有低R(DS(on))。mosfet最大限度地減少傳導損耗，確保高效的電源管理。此外，低QG和電容有助于最大限度地減少驅動器損耗。特性低QG和電容低......
ONSE... NVMF... 單n溝道...
2024-02-28
23
onsemi NTMYS003N n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應用
onsemi NTMYS003N n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應用
onsemi NTMYS003N n溝道功率MOSFET專為緊湊高效的設計而設計，采用5mm x 6mm LFPAK封裝。該功率MOSFET具有低R(DS(ON))，低Q(G)和電容，80V漏源電壓，±20V柵源電壓，-55°C至175°C工作結和存儲溫度范圍。NTMYS003N n溝道功率MOSFET無鉛，符合RoHS標準。典型應用包括......
ONSE... NTMY... MOSF...
2024-01-29
6
onsemi NVMFWS003N10MC單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應用
onsemi NVMFWS003N10MC單n溝道功率mosfet的介紹、特性、...
onsemi NVMFWS003N10MC單n溝道功率mosfet在10V R(DS(ON))和100V漏源電壓下提供169A連續漏極電流3.1毫歐。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm平面引線封裝，設計緊湊高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽車應用的理想選擇。特性占地面積小(5......
ONSE... NVMF... MOSF...
2024-01-22
10
東芝推出10款適用于工業設備開關電源的新一代80V N溝道功率MOSFET
東芝推出10款適用于工業設備開關電源的新一代80V N溝道功率MOSFET
東芝推出的10款適用于工業設備開關電源的新一代80V N溝道功率MOSFET，是東芝在功率半導體領域的一項重要創新。以下是對這些MOSFET的詳細介紹：一、產品系列與封裝類型這10款MOSFET被歸類為“U-MOSⅩ-H系列”。它們提供了三種類型的封裝，以滿足不同應用場景的需求：雙列直插式封裝（TO-220）：包括TK2R4E08QM、T......
DC-D... 典型漏源... 電機驅動...
2021-05-06
21