onsemi NVHL060N065SC1單n溝道MOSFET的介紹、特性、及應用


onsemi NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET是一款650V, 60毫歐(類型)和47A單n溝道MOSFET,采用緊湊高效的設計,具有高熱性能。與硅相比,該MOSFET采用了一種全新的技術,提供了卓越的開關性能和高可靠性。此外,低導通電阻和緊湊的芯片尺寸確保低電容和柵極電荷。NVHL060N065SC1功率MOSFET具有高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系統尺寸。該MOSFET通過AEC-Q101認證,具有ppap能力。典型的應用包括汽車車載充電器和電動汽車(EV)的汽車DC/DC轉換器。
特性
650V (V(DSS))漏極到源電壓
低電容高速開關(C(OSS) = 133pF)
典型R(DS(on))=44毫歐 @ V(GS)=18V
典型R(DS(on))=60毫歐 @ V(GS)=15V
超低柵極電荷(Q(G(t))=74nC)
通過AEC-Q101認證,具備PPAP能力
無鉛,符合rohs標準
100%雪崩測試
應用程序
車載充電器
用于EV/HEV的汽車DC/DC變換器
包的尺寸
責任編輯:David
【免責聲明】
1、本文內容、數據、圖表等來源于網絡引用或其他公開資料,版權歸屬原作者、原發表出處。若版權所有方對本文的引用持有異議,請聯系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學習使用,不涉及商業目的。
3、本文內容僅代表作者觀點,拍明芯城不對內容的準確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨立判斷做出的,請讀者明確相關結果。
4、如需轉載本方擁有版權的文章,請聯系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉載原因”。未經允許私自轉載拍明芯城將保留追究其法律責任的權利。
拍明芯城擁有對此聲明的最終解釋權。