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SiC MOSFET
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ST STGAP2SICS電流隔離4A SiC MOSFET柵極驅動方案
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ST STGAP2SICS電流隔離4A SiC MOSFET柵極驅動方案深度解析在新能源、工業自動化及電動汽車等高功率密度應用領域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低導通電阻、高開關速度及耐高溫特性，已成為功率轉換系統的核心器件。然而，SiC MOSFET的驅動需求遠超傳統硅基器件，需要專用的柵極驅動器以實現高效、可靠的功率控制。意法半......
STGA... 電流隔離 柵極驅動
2025-05-23
3
SiC SBD和SiC MOSFET有什么區別
SiC SBD和SiC MOSFET有什么區別
SiC SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導體器件，它們在多個方面存在顯著的區別。以下是對這兩種器件的詳細比較：一、工作原理SiC SBD：利用肖特基勢壘效應進行整流。當施加正向偏壓時，電子從半導體流向金屬，形成正向電流；當施加反向偏壓時，肖特......
SiC ...
2024-10-16
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碳化硅二極管和SiC MOSFET哪個更常用
碳化硅二極管和SiC MOSFET哪個更常用
關于碳化硅二極管（SiC SBD）和SiC MOSFET哪個更常用的問題，實際上取決于具體的應用場景和需求。兩者都是基于碳化硅（SiC）材料的功率半導體器件，在電力電子領域具有廣泛的應用，但各自具有不同的特性和優勢。SiC MOSFET以其低電容值、高擊穿電壓、低導通電阻、高系統效率和快速開關速度等特點，在電動汽車、光伏發電、智能電網和軌......
碳化硅二...
2024-10-16
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碳化硅二極管和SiC MOSFET有什么區別
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碳化硅二極管（SiC SBD）和SiC MOSFET是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導體器件，它們在電力電子領域具有廣泛的應用，但兩者在工作原理、特性、應用及優缺點等方面存在顯著的差異。一、工作原理碳化硅二極管（SiC SBD）利用肖特基勢壘效應的整流二極管。工作原理基于金屬與碳化硅半導體之間形成的肖特基結。當施加正向偏壓時，電子從......
碳化硅二...
2024-10-16
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SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模塊(低開關損耗)的介紹、特性、及應用
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SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模塊提供低開關損耗，低結殼熱阻，非常堅固，易于安裝。這些模塊直接安裝在散熱器(隔離封裝)，并包括一個開爾文參考穩定運行。所有部件都經過嚴格測試，可承受1350V以上的電壓。這些模塊的突出特點是穩健的1200V漏源電壓。GCMX半橋模塊工作在175°C結溫下，符合rohs標準。典型應......
Semi... GCMX SiC ...
2024-03-28
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IXYS ix4352ne9a低側SiC MOSFET和ight驅動器(柵極驅動器)的介紹、特性、及應用
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IXYS IX4352NE 9A低側SiC MOSFET和IGBT驅動器是柵極驅動器，設計用于驅動SiC MOSFET和大功率IGBT。IXYS IX4352NE柵極驅動器具有獨立的9A源和接收輸出，允許定制的導通和關斷時間，同時最大限度地減少開關損耗。內部負電荷調節器提供用戶可選擇的負柵極驅動偏置，以提高dV/dt抗擾度和更快的關斷速度......
IXYS ix43... 柵極驅動...
2024-03-28
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microcommercial Components (MCC) SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET的介紹、特性、及應用
microcommercial Components (MCC) SICW028...
microcommercial Components (MCC) SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET在18V柵源電壓下的導通電阻僅為28毫歐。該n溝道MOSFET與流行的D2PAK 4引腳配合良好，并包含開爾文源引腳，可降低開關損耗并顯著提高能效。這款SICW028N120A4 MOSFET具有高雪崩堅固性，能夠......
MCC SICW... SiC ...
2024-03-28
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NXP Semiconductors FRDMGD3162RPEVM半橋評估套件(GD3162單通道IGBT/SiC MOSFET柵極驅動器)的介紹、特性、及應用
NXP Semiconductors FRDMGD3162RPEVM半橋評估套件...
NXP Semiconductors FRDMGD3162RPEVM半橋評估套件具有兩個GD3162單通道IGBT/SiC MOSFET柵極驅動器。NXP FRDMGD3162RPEVM配備Freedom KL25Z微控制器硬件，可通過PC上的Flex GUI軟件與GD3162柵極驅動設備進行通信。這種通信既可以發生在菊花鏈中，也可以發生......
GD31... NXP ... FRDM...
2024-03-28
9
MCC SICW400N170A 1700V SiC MOSFET的介紹、特性、及應用
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microcommercial Components (MCC) SICW400N170A 1700V SiC MOSFET具有400毫歐超低導通電阻，有助于最大限度地減少傳導損耗并提高電源應用中的能效。這種SiC MOSFET具有優異的熱穩定性，可以在高結溫(高達+175°C)下工作，確保在惡劣和具有挑戰性的條件下可靠運行。1700V的......
MCC SICW... SiC ...
2024-03-25
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英飛凌完善SiC MOSFET溝槽技術 200V CoolSiC G2 MOSFET
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　　與上一代產品相比，英飛凌的 650V 和 1200V CoolSiC G2 MOSFET 將存儲能量和充電量提高了 20%。第二代 CoolSiC 溝槽 MOSFET 繼續利用碳化硅的性能屬性，有助于減少功率轉換過程中的能量損耗并提高效率。　　　　CoolSiC G2 對硬開關操作和軟開關拓撲的關鍵品質因數進行了改進。這些器件的快速......
英飛凌 MOSF... Cool...
2024-03-11
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onsemi nntbg022n120m3s 1200V M3S系列SiC MOSFET的介紹、特性、及應用
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　　M3S系列SiC(碳化硅)MOSFET為快速開關應用進行了優化，并提供了一個低22毫歐漏源通電阻。M3S系列SiC mosfet在使用18V柵驅動時提供最佳性能，但在使用15V柵驅動時也工作良好。該器件采用平面技術，工作可靠的負柵電壓驅動和關閉柵上的尖峰。　　onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC ......
ONSE... nntb... SiC ...
2023-04-18
31
onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet的介紹、特性、及應用
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　　onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet是在F1包中包含一個全橋和一個熱敏電阻的電源模塊。這些mosfet具有熱敏電阻和壓合銷。NXH0x0F120MNF1模塊提供預應用熱接口材料(TIM)和不預應用TIM選項。這些模塊理想地用于太陽能逆變器，不間斷電源，電動汽車充電站和工業電源。NXH0x0F120MNF1......
ONSE... NXH0... SiC ...
2023-04-12
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如何將第三代SiC MOSFET應用于電源設計以提高性能和能效
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將第三代碳化硅（SiC）MOSFET應用于電源設計是提高性能和能效的重要方法之一。在本文中，我將詳細介紹SiC MOSFET的優勢、應用領域以及品牌型號，并探討如何在電源設計中充分利用這些優勢。1. SiC MOSFET的優勢一、低導通電阻：SiC MOSFET具有較低的導通電阻，能夠降低導通損耗，提高電源的效率。二、高開關速度：SiC ......
第三代S... 電源設計 SiC ...
2022-11-11
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ON Semiconductor NCx51705 SiC MOSFET柵驅動器的介紹、特性、及應用
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ON Semiconductor NCx51705 SiC MOSFET柵驅動器是一款專為碳化硅（SiC）MOSFET設計的柵極驅動器。以下是對其介紹、特性及應用的詳細解析：介紹ON Semiconductor NCx51705 SiC MOSFET柵驅動器是一款高度集成和靈活的柵極驅動器，它具備與市場上任何SiC MOSFET完全兼容的......
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2022-10-31
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集成三相 SiC MOSFET 和驅動電路的液冷或風冷功率模塊
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集成三相SiC MOSFET和驅動電路的液冷或風冷功率模塊，是現代電力電子系統中不可或缺的一部分，特別是在需要高性能、高效率和高可靠性的應用中。以下是對這兩種功率模塊的詳細解釋：SiC MOSFET概述優勢：SiC MOSFET作為一種高性能的功率半導體器件，具有低導通和開關損耗、高開關速度和高溫度穩定性等特點。這使得SiC MOSFET......
風冷功率...
2022-05-18
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IXYS LSIC1MO170E0750 n通道SiC MOSFET的介紹、特性、及應用
IXYS LSIC1MO170E0750 n通道SiC MOSFET的介紹、特性...
IXYS LSIC1MO170E0750是一款n通道碳化硅（SiC）MOSFET，以下是對其詳細介紹、特性及應用的歸納：一、產品介紹IXYS LSIC1MO170E0750是一款針對高頻、高效率應用優化的1700V碳化硅MOSFET。它結合了碳化硅材料的優異特性，如高飽和電子漂移速度、高電場擊穿強度、低介電常數和高熱導率，為高壓、高頻功率......
IXYS LSIC... SiC ...
2022-04-14
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onsemi M3S 1200 V碳化硅mosfet的介紹、特性、及應用
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onsemi（安森美）M3S 1200V碳化硅MOSFET的介紹、特性及應用一、介紹onsemi（安森美）推出的M3S 1200V碳化硅（SiC）MOSFET是該公司最新一代的碳化硅功率器件，專為提高電動汽車（EV）和能源基礎設施應用的效率而設計。該系列產品不僅繼承了SiC MOSFET在提高效率、增加功率密度方面的優勢，還針對特定應用進......
SiC ... ONSE... 碳化硅
2022-03-28
71
SiC MOSFET的實時結溫監控電路測量方案
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SiC MOSFET的實時結溫監控電路測量方案引言碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，以其優異的耐高壓、耐高溫和低損耗等特性，正在逐步替代傳統的硅基材料，特別是在電力電子設備中的應用。SiC MOSFET作為SiC功率器件的一種，具有高頻率、高效率、高耐壓和高可靠性等優點，在新能源汽車、光伏發電、軌道交通和智能電網等領域具有顯著優勢。然......
監控電路...
2021-12-20
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派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產線
派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產線
一、派恩杰SiC MOSFET批量“上車”背景與趨勢自2018年特斯拉Model 3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應用落地。SiC MOSFET因其材料優勢（如高溫性能好、功率密度大等），正逐步成為新能源汽車電力電子系統的核心組件。派恩杰的突破派恩杰半導體（杭州）有限公司作......
碳化硅二... 逆變器 MOSF...
2021-12-09
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SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現負壓？
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SiC MOSFET替代Si MOSFET時，在只有單電源正電壓的情況下實現負壓，可以通過在驅動回路中增加少量元件來產生所需的負壓。以下是一些具體的實現方案：方案一元件選擇：使用一個稍高于所需正壓（如+18V）的單電源。選擇一個穩壓管（如Z1）和一個二極管（如Z2），其中穩壓管的穩定電壓加上二極管的導通壓降應等于所需的正壓（如+15V）。......
電力電子... 穩壓管 電源正負...
2021-12-08
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