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onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet的介紹、特性、及應用
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onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet是在F1包中包含一個全橋和一個熱敏電阻的電源模塊。這些mosfet具有熱敏電阻和壓合銷。NXH0x0F120MNF1模塊提供預應用熱接口材料(TIM)和不預應用TIM選項。這些模塊理想地用于太陽能逆變器，不間斷電源，電動汽車充電站和工業電源。NXH0x0F120MNF1模塊為無鉛、無鹵化物、符合RoHS標準。這些模塊的存儲溫度范圍為-40°C至150°C，工作結溫度范圍為-40°C至175°C。
特性
40m/1200V SiC MOSFET半橋(NXH040F120MNF1)
20m/1200V SiC MOSFET半橋(NXH020F120MNF1)
熱敏電阻
壓配合針
有預應用熱界面材料(TIM)和不預應用熱界面材料的選項
該產品不含鉛、鹵化物，符合RoHS標準
規范
-40℃~ 150℃的存儲溫度范圍
-40℃的最低工作結溫度
最高工作結溫度175°C
-40°C至175°C的模塊工作結溫度
應用程序
太陽能逆變器
不間斷電源
電動汽車充電站
工業強國
原理圖
責任編輯：David
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