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onsemi NVTYS014N08HL功率MOSFET的介紹、特性、及應用
onsemi NVTYS014N08HL功率MOSFET的介紹、特性、及應用
onsemi NVTYS014N08HL功率MOSFET是一款80V, 13.9毫歐和40A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設計，具有高熱性能。該MOSFET具有低R(DS(ON))以最小化傳導損耗和低電容以最小化驅動器損耗。NVTYS014N08HL功率MOSFET通過AEC-Q101認證，具有ppap能力。該MOSFET適用于反向......
ONSE... NVTY... 功率MO...
2024-03-04
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14n的基本概念和特點,14n的制造工藝和發展趨勢
14n的基本概念和特點,14n的制造工藝和發展趨勢
摘要：本文主要對14n進行詳細闡述，從四個方面進行分析。首先介紹了14n的基本概念和特點，然后探討了其在電子行業中的應用，接著討論了14n的制造工藝和發展趨勢，并最后總結了14n的優勢和不足之處。1、基本概念14n是一種常見的元器件，在電子行業中廣泛應用。它具有高性能、低功耗等特點。2、應用領域在手機、電腦等消費電子產品中，我們可以看到大......
14n
2023-08-15
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即將100%國產的28nm、14nm芯片
即將100%國產的28nm、14nm芯片
關于即將100%國產的28nm和14nm芯片，以下是根據當前信息和趨勢的詳細分析：28nm芯片現狀與發展：已實現量產：在國產芯片領域，28nm芯片已經取得了顯著的進展。例如，北斗系統已經實現了28nm工藝芯片的量產，并成功應用于其全球衛星導航系統中。這表明國產28nm芯片在技術和生產上已經達到了相當成熟的水平。市場需求：28nm芯片在市場......
28nm 14nm DUV光...
2021-12-07
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中國互聯網絡信息中心：國內實現 7nm 芯片試產，已設計出 14nm“香山”芯片
中國互聯網絡信息中心：國內實現 7nm 芯片試產，已設計出 14nm“香山”芯片...
關于中國互聯網絡信息中心提到的國內實現7nm芯片試產以及已設計出14nm“香山”芯片的信息，可以歸納如下：一、國內實現7nm芯片試產現狀：中國在半導體制造技術方面取得了顯著進展，包括在7nm工藝上的試產。然而，需要注意的是，試產并不等同于大規模量產，它更多地是技術驗證和工藝成熟的過程。背景：中芯國際作為中國內地規模最大的芯片制造企業，在先......
量子中繼... 可編程光... 通信技...
2021-08-30
10
國產半導體設備商拓荊科技沖刺科創板：供貨中芯華虹長江存儲，已進 14nm 產線
國產半導體設備商拓荊科技沖刺科創板：供貨中芯華虹長江存儲，已進 14nm 產線
國產半導體設備商拓荊科技在沖刺科創板的過程中，展現了其在半導體薄膜沉積設備領域的顯著成就和競爭力。以下是對該話題的詳細分析：一、公司概況與業務拓荊科技股份有限公司成立于2010年04月28日，總部位于遼寧省沈陽市渾南區。公司主營業務為半導體薄膜沉積設備的研發、生產和銷售，主要產品包括等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備、原子層沉積(......
薄膜沉積... 溫度控制... PECV...
2021-07-15
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國內最缺的芯片產能不是7nm、14nm，而是55nm
國內最缺的芯片產能不是7nm、14nm，而是55nm
國內芯片產能的現狀確實顯示，最緊缺的并非7nm或14nm等先進工藝芯片，而是55nm等成熟工藝芯片。以下是對這一現象的詳細分析：一、55nm芯片產能緊缺的原因廣泛應用：55nm工藝芯片在車載電子、家電制造業、手機產業等多個領域有著廣泛的應用。這些行業對芯片的需求量大，且對工藝成熟度和價格敏感度較高。工藝成熟度：55nm工藝已經量產多年，技......
半導體 中芯國際 高性能計...
2021-04-06
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中芯國際正努力重新獲得芯片訂單：聚焦 14nm FinFET 工藝
中芯國際正努力重新獲得芯片訂單：聚焦 14nm FinFET 工藝
中芯國際作為中國大陸的重要芯片制造企業，近年來在技術和市場上取得了顯著進展。特別是在14nm FinFET工藝方面，中芯國際已經實現了量產，并正在努力重新獲得芯片訂單。以下是對中芯國際聚焦14nm FinFET工藝以及努力重新獲得芯片訂單的詳細分析：一、中芯國際14nm FinFET工藝的發展歷程研發起始：中芯國際從2015年開始研發14......
中芯國際 集成電路 臺積電
2021-03-16
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中芯國際 14nm 良率追平臺積電，部分成熟工藝訂單已排至明年
中芯國際 14nm 良率追平臺積電，部分成熟工藝訂單已排至明年
中芯國際在14nm工藝方面取得了顯著進展，其良率已經追平了臺積電，且部分成熟工藝的訂單已經排至明年。以下是對此情況的詳細分析：一、中芯國際14nm工藝良率追平臺積電據供應鏈傳來的消息顯示，中芯國際14納米工藝的良率已經追平了臺積電的同等工藝，良率高達90%~95%。這意味著中芯國際14納米工藝的成本將進一步降低，有望與臺積電的14納米工藝......
臺積電 晶圓廠 半導體設...
2021-03-11
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零部件庫存告急，傳中芯國際已獲14nm及以上成熟制程許可
零部件庫存告急，傳中芯國際已獲14nm及以上成熟制程許可
關于零部件庫存告急以及中芯國際已獲14nm及以上成熟制程許可的情況，以下是對這兩個問題的詳細解答：一、零部件庫存告急目前，全球半導體行業面臨著零部件庫存告急的問題。這主要是由于半導體產業鏈復雜且高度全球化，任何環節的短缺都可能導致整個產業鏈的動蕩。加之近年來全球貿易環境的不確定性增加，以及地緣政治因素的影響，使得半導體零部件的供應更加緊張......
中芯國際 半導體設... EUV光...
2021-03-03
16
盲目追求5nm芯片沒有用？胡偉武：完善14nm芯片更重要
盲目追求5nm芯片沒有用？胡偉武：完善14nm芯片更重要
針對“盲目追求5nm芯片沒有用？胡偉武：完善14nm芯片更重要”這一觀點，以下是對其的詳細分析和解讀：一、胡偉武的核心觀點龍芯總設計師胡偉武在接受采訪時提出了一個核心觀點：在技術還沒有完全穩定的情況下，盲目追求5nm芯片大概率是沒有用的，當下更重要的反而是完善14nm芯片。他認為，只有基礎技術踏實了，后期才有快速發展的可能。二、對胡偉武觀......
5nm芯...
2021-01-19
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飛騰桌面處理器芯片騰銳 D2000 發布：14nm 工藝，自研高性能內核 FTC663 ，兼容 ARMv8 指令集
飛騰桌面處理器芯片騰銳 D2000 發布：14nm 工藝，自研高性能內核 FTC...
飛騰桌面處理器芯片騰銳D2000的發布標志著國產處理器在技術和性能上取得了新的突破。以下是對該芯片的詳細分析：一、芯片基本信息名稱：騰銳D2000制造工藝：14nm工藝內核：自研高性能內核FTC663指令集兼容：64位ARMv8指令集二、芯片性能與規格內核數量：集成了8個FTC663內核，相較于前代產品（如FT-2000/4）的內核數量翻......
處理器芯... 飛騰桌面... 飛騰處理...
2020-12-30
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國內首創，京儀裝備研發出高速集成電路制造晶圓倒片機，可用于 14nm 制造
國內首創，京儀裝備研發出高速集成電路制造晶圓倒片機，可用于 14nm 制造
京儀裝備研發出國內首創的高速集成電路制造晶圓倒片機，可用于14納米集成電路制造。一、研發背景在集成電路制造領域，晶圓倒片機是調整晶圓生產材料序列位置的關鍵設備。長期以來，高速晶圓倒片機主要依賴進口，限制了國內集成電路產業的發展。為了打破這一局面，北京京儀自動化裝備技術有限公司（簡稱“京儀裝備”）經過多年技術積累和攻關，成功研發出了國內首創......
晶圓倒片...
2020-12-01
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Intel 14nm終極爆發：11代酷睿直接5.5GHz
Intel 14nm終極爆發：11代酷睿直接5.5GHz
Intel 14nm工藝在11代酷睿處理器上確實實現了頻率上的顯著提升，達到了5.5GHz的睿頻。以下是對此現象的詳細分析：一、11代酷睿處理器概述11代酷睿處理器，也稱為Rocket Lake-S系列，是Intel在14nm工藝上的又一次重要升級。盡管Intel在此前已經多次優化14nm工藝，但11代酷睿處理器仍然選擇了這一成熟工藝，并......
酷睿
2020-11-19
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