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5nm以后的晶體管選擇
5nm以后的晶體管選擇
在探討5nm以后的晶體管選擇時，我們需要考慮幾個關鍵因素，包括技術挑戰、材料選擇、制造工藝和市場應用等。以下是對5nm以后晶體管選擇的一些主要分析和展望：技術挑戰：隨著晶體管尺寸的不斷縮小，會面臨更多的技術挑戰，如短溝道效應、漏電問題、自加熱和閾值平坦化等。這些問題會影響晶體管的性能和可靠性。5nm以下的晶體管需要新的結構和材料來克服上述......
碳納米管
2022-05-16
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3nm后的晶體管選擇~
3nm后的晶體管選擇~
在3nm及以下的工藝節點，晶體管的選擇和技術發展正面臨著前所未有的挑戰。以下是關于3nm后晶體管選擇的一些關鍵點和趨勢：從FinFET到納米片（Nanosheet）的過渡：多家晶圓廠如三星、Intel、臺積電和IBM等正在從長期采用的鰭式場效晶體管（FinFET）制程逐漸轉移，轉向納米片（Nanosheet）的晶體管架構制造。這一轉變是為......
場效晶體...
2022-05-16
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意法半導體射頻功率LDMOS晶體管的介紹、特性、及應用
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意法半導體（STMicroelectronics）的射頻功率LDMOS（橫向雙擴散金屬氧化物半導體）晶體管是專為射頻功率放大器（RF PA）設計的高性能元件。以下是對這些晶體管的詳細介紹、特性及應用領域的歸納：一、介紹意法半導體的射頻功率LDMOS晶體管結合了高功率處理能力、高穩定性和高能效，專為滿足各種商用和工業應用的射頻功率需求而設計......
意法半導... LDMO... 晶體管
2022-05-07
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意法半導體用于GaN晶體管的STDRIVEG600門驅動程序的介紹、特性、及應用
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意法半導體（STMicroelectronics）的STDRIVEG600是一款專為增強模式GaN場效應管（FET）或n通道功率場效應管設計的單芯片半橋門驅動器。以下是對STDRIVEG600門驅動程序的詳細介紹、特性及應用領域的歸納：介紹STDRIVEG600是一款高壓、高速的半橋柵極驅動器，旨在通過其高性能和集成度來提高電力和能源轉換......
GaN晶... STDR... 門驅動程...
2022-05-06
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QPD0005M RF JFET晶體管的介紹、特性、及應用
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QPD0005M RF JFET晶體管是由Qorvo公司推出的一款高性能射頻功率晶體管，采用單路徑分立式GaN on SiC HEMT技術，并采用塑料包覆成型DFN封裝。這款晶體管專為高頻、高功率應用而設計，適用于多種無線通信系統。特性工作頻率范圍：QPD0005M RF JFET晶體管的工作頻率范圍為2.5GHz至5.0GHz，覆蓋了多......
Qorv... QPD0... RF J...
2022-03-25
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臺積電羅鎮球：明年將推出 5nm 汽車電子平臺和 2nm 新晶體管架構
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臺積電羅鎮球在相關場合表示，臺積電計劃在未來推出兩項重要技術：5nm汽車電子平臺和2nm新晶體管架構。以下是對這兩項技術的詳細解讀：一、5nm汽車電子平臺1. 推出時間根據羅鎮球的表述，臺積電計劃于“明年3月”推出5nm汽車電子工藝平臺。然而，這里的“明年”指的是消息發布時的下一年，即基于參考文章的發布時間（2021年），原計劃是在202......
晶體管 半導體 臺積電
2021-12-23
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索尼：全球首發雙層晶體管像素堆疊式 CMOS 圖像傳感器技術，擴大動態范圍并降低噪點
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索尼全球首發的雙層晶體管像素堆疊式CMOS圖像傳感器技術，是圖像處理領域的一項重要創新。這項技術通過獨特的結構設計，顯著提升了圖像傳感器的性能，主要體現在擴大動態范圍和降低噪點兩個方面。以下是對該技術的詳細解析：技術背景與優勢1. 技術創新點索尼開發的這項技術，將傳統CMOS圖像傳感器中的光電二極管和像素晶體管從同一基片分離，分別封裝在不......
復位晶體... 圖像傳感... 光電二極...
2021-12-20
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英特爾Raja Koduri：賦能元宇宙
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英特爾的Raja Koduri在賦能元宇宙方面做出了重要貢獻，并提出了實現元宇宙體驗所需的技術基石。以下是對Raja Koduri及其在元宇宙領域工作的詳細闡述：一、Raja Koduri的背景與職務職務：Raja Koduri現任英特爾首席架構師，他曾在蘋果公司和AMD擔任領導職務，負責圖形技術業務。2017年，他加入英特爾，并在加速計......
晶體管 數據傳輸 AR設備
2021-12-16
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基于PIC12C672單片機+LM50BIM3溫度傳感器+NTD24N06L功率場效應晶體管構建的半導體制冷系統過熱保護裝置設計方案
基于PIC12C672單片機+LM50BIM3溫度傳感器+NTD24N06L功率...
基于PIC12C672單片機、LM50BIM3溫度傳感器和NTD24N06L功率場效應晶體管（MOSFET）構建的半導體制冷系統過熱保護裝置設計方案一、設計背景在現代電子設備中，半導體制冷技術廣泛應用于溫控系統中，特別是在需要精確控制溫度的領域，例如計算機芯片冷卻、精密儀器等。然而，半導體制冷系統也面臨著一個重要的挑戰——過熱保護。若系統......
PIC1... LM50... 過熱保護...
2021-12-16
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基于Microchip PIC16F877單片機+1N4003二極管+2SD1276A達靈頓晶體管+M82101-P1雙相單極電機的步進電機控制技術設計方案
基于Microchip PIC16F877單片機+1N4003二極管+2SD12...
基于Microchip PIC16F877單片機+1N4003二極管+2SD1276A達靈頓晶體管+M82101-P1雙相單極電機的步進電機控制技術設計方案引言步進電機作為一種特殊的電動機，在現代工業自動化、精密儀器、機器人控制等領域得到了廣泛的應用。與傳統的電機相比，步進電機具有獨特的優勢，尤其是在位置控制、低速轉動及高精度控制方面，能......
PIC1... 1N40... 步進電機
2021-12-15
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為增強模擬LSI和晶體管的產能，羅姆集團馬來西亞工廠投建新廠房
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為增強模擬LSI（大規模集成電路）和晶體管的產能，羅姆集團（總部位于日本京都市）與其子公司羅姆和光株式會社（總部位于日本岡山縣）在馬來西亞的子公司ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.（以下簡稱“RWEM”）投建了新廠房。以下是關于這一項目的詳細情況：一、項目背景與目的隨著全球市場對模擬LSI......
晶體管 模擬LS... 二極管
2021-12-15
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利用跨導放大器實現開發高輸出電流脈沖源
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利用跨導放大器實現高輸出電流脈沖源的設計，涉及到多個方面的技術和理論。跨導放大器（Transconductance Amplifier，簡稱OTA）是一種能夠將輸入電壓信號轉化為輸出電流信號的放大器。它在高輸出電流脈沖源的設計中扮演著至關重要的角色。本文將詳細探討如何利用跨導放大器設計高輸出電流脈沖源，介紹主控芯片的選擇與作用，并深入分析......
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2021-12-14
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吉利科技集團西南總部落戶重慶，計劃投建 12GWh 動力電池項目
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吉利科技集團西南總部落戶重慶，并計劃投建12GWh動力電池項目，這一戰略舉措體現了吉利在新能源汽車領域的持續布局和擴張。以下是對該事件的詳細分析：一、項目背景時間節點：吉利科技集團與重慶兩江新區、涪陵區簽署合作協議的時間為2021年11月28日左右（具體日期可能因不同報道略有差異）。合作內容：根據協議，吉利科技集團將在重慶設立西部總公司以......
智能座艙... 車規級S... 晶體管
2021-11-30
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IBM中國揭秘首款2nm芯片：最小元件比DNA單鏈還要小
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IBM中國揭秘的首款2nm芯片確實是一項令人矚目的技術突破，其最小元件的尺寸甚至超越了自然界的DNA單鏈。以下是對該芯片及其特點的詳細解析：一、芯片概述制造商：IBM公司技術節點：2納米（2nm）發布時間：據參考文章，IBM在2021年5月正式發布了這款全球首個2nm制程的芯片，并隨后在中國進行了相關介紹和揭秘。二、技術特點最小元件尺寸：......
晶體管 自治系統 硅晶圓
2021-11-29
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東芝發布旗下首款200V晶體管輸出車載光耦
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東芝發布旗下首款200V晶體管輸出車載光耦的相關信息如下：一、產品發布發布時間：2021年11月18日發布地點：中國上海發布公司：東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）二、產品概述產品名稱：TLX9188類型：高壓晶體管輸出車載光耦用途：用于包括電動汽車在內的汽車設備的信號隔離通信三、產品特性電氣特性集電極-發射極擊穿電壓：V(BR)......
機械式繼... 高壓光電... 電池管理...
2021-11-19
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Cerebras完成2.5億美元融資，估值已超40億美元
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Cerebras Systems，這家在AI芯片領域具有顯著影響力的初創公司，近期完成了2.5億美元的F輪融資，其估值已超過40億美元。以下是關于此次融資及相關信息的詳細解析：一、融資概況融資金額：2.5億美元（約合16億人民幣）融資輪次：F輪領投機構：Alpha Wave Ventures和阿布扎比增長基金（ADG）參與投資機構：包括A......
晶體管 內存帶寬 WSE處...
2021-11-15
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傳臺積電3nm量產遭遇瓶頸，蘋果A16芯片將不采用3nm制程
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關于“臺積電3nm量產遭遇瓶頸，蘋果A16芯片將不采用3nm制程”的傳言，可以從以下幾個方面進行分析和回答：一、臺積電3nm量產的現狀1. 臺積電3nm制程技術的規劃臺積電在半導體制造領域一直處于領先地位，其從2022年到2025年規劃了包括N3、N3E、N3P、N3X以及后續優化的N3S等多個3納米制程技術節點，旨在滿足智能手機、物聯網......
制程芯片 晶體管 A16處...
2021-11-05
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東芝TLP388晶體管輸出光電耦合器的介紹、特性、及應用
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東芝TLP388晶體管輸出光電耦合器是一款高性能的光電耦合器件，廣泛應用于各種需要電氣隔離和信號傳輸的場合。以下是對其介紹、特性及應用的詳細分析：一、介紹東芝TLP388晶體管輸出光電耦合器由東芝（Toshiba）公司生產，是一款晶體管輸出的光電耦合器。它采用先進的制造工藝和技術，確保了高可靠性、高穩定性和長壽命。TLP388內部集成了光......
東芝 TLP3... 光電耦合...
2021-11-02
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埃賦隆推出400W堅固耐用的Doherty射頻功率晶體管，據此擴展LDMOS基站和多載波產品線
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埃賦隆（Ampleon）推出的400W堅固耐用的Doherty射頻功率晶體管（型號為BLC10G27XS-400AVT）是該公司在射頻功率領域的一項重要創新，旨在擴展其LDMOS基站和多載波產品線。以下是對該產品的詳細介紹：一、產品特點高功率與耐用性：該晶體管提供400W的功率輸出，專為在2.496GHz至2.690GHz頻率范圍內工作的......
射頻功率... ESD保... MMIC...
2021-10-29
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臺積電宣布推出N4P高性能工藝
臺積電宣布推出N4P高性能工藝
臺積電宣布推出N4P高性能工藝，這一決策在半導體行業中引起了廣泛關注。以下是關于N4P高性能工藝的詳細介紹：一、工藝背景推出時間：臺積電在2021年宣布推出N4P工藝，這是在其5nm制程技術基礎上的一個增強版。技術定位：N4P工藝是臺積電5nm家族的第三個主要強化版本，繼N5、N4之后，為市場提供了更多選擇。二、技術特點性能提升：相比原始......
晶體管 N4P工... 晶圓
2021-10-29
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