原標題：3nm后的晶體管選擇~

在3nm及以下的工藝節點，晶體管的選擇和技術發展正面臨著前所未有的挑戰。以下是關于3nm后晶體管選擇的一些關鍵點和趨勢：

1. 從FinFET到納米片（Nanosheet）的過渡：

• 多家晶圓廠如三星、Intel、臺積電和IBM等正在從長期采用的鰭式場效晶體管（FinFET）制程逐漸轉移，轉向納米片（Nanosheet）的晶體管架構制造。

• 這一轉變是為了解決隨著晶體管尺寸縮小到3nm及以下時，FinFET在性能、功耗和泄漏控制方面的局限性。

2. 納米片（Nanosheet）的優勢：

• 納米片架構提供了更寬的有效通道寬度，從而能在相同尺寸下提供比FinFET更高的驅動電流。

• 它還提供了調整通道寬度的彈性，使設計人員在保持高性能的同時，能夠進一步降低元件尺寸和電容。

• 納米片采用環繞閘極（Gate-All-Around, GAA）結構，使導電通道完全被包圍在高介電系數材料或金屬閘極之中，提供了更佳的通道控制能力。

3. 叉型片（Forksheet）和互補式場效晶體管（CFET）：

• 叉型片（Forksheet）是納米片架構的一種改進形式，通過引入介電墻來大幅緊縮n型與p型元件之間的距離，從而增加通道的有效寬度和提升驅動電流。

• 互補式場效晶體管（CFET）是另一種新型晶體管架構，結合了n型和p型晶體管在同一溝道內，以提高能效和性能。

1. 材料創新：

• 為了提高晶體管的性能，特別是pFET的空穴遷移率，供應商正在開發有改進的pFET第二代納米片FET，使用高遷移率材料如SiGe和III-V族材料。

• 應變工程也被用于在溝道中使用SiGe合金應力以提高載流子遷移率。

2. 技術挑戰：

• 轉向納米片和其他新型晶體管架構帶來了許多技術挑戰，如內部隔離層控制、精確蝕刻和內部間隔物的形成等。

• 這些挑戰需要精確控制工藝參數和材料特性，以確保晶體管的性能和可靠性。

3. 市場應用：

• 隨著這些新型晶體管技術的成熟和成本降低，它們將被廣泛應用于各種高性能電子設備和產品中，如智能手機、服務器、數據中心和自動駕駛汽車等。

綜上所述，3nm后的晶體管選擇正朝著納米片和其他新型架構發展，這些技術將帶來更高的性能和能效，但同時也面臨著許多技術挑戰和成本問題。隨著半導體行業的不斷創新和進步，我們有望在未來看到更多高性能、低功耗的晶體管產品的出現。