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功率半導體
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ROHM開發出內置SiC二極管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”
ROHM開發出內置SiC二極管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx6...
ROHM（羅姆）開發出的內置SiC二極管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”是一款具有顯著技術突破和性能提升的產品。以下是對該產品的詳細介紹：一、產品概述ROHM推出的“RGWxx65C系列”Hybrid IGBT產品，包括RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR等型號，均符合汽......
SiC二... 絕緣柵雙... 功率半導...
2021-07-09
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Nexperia計劃在2021和2022年投資7億美元提高產能
Nexperia計劃在2021和2022年投資7億美元提高產能
Nexperia（安世半導體）確實計劃在2021年和2022年投資7億美元以提高產能。以下是對該投資計劃的詳細分析：一、投資背景與目的Nexperia作為半導體行業的領先企業，面對全球半導體市場需求的持續增長，決定擴大其生產規模以滿足市場需求。該投資計劃旨在提高其歐洲晶圓廠、亞洲封裝測試工廠以及全球研發基地的制造能力，并加強在氮化鎵（Ga......
電源管理... 功率半導... 研發設施
2021-06-21
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比亞迪半導體：西安研發中心即將啟用，計劃發布全新 IGBT6.0 芯片
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比亞迪半導體：西安研發中心即將啟用，并計劃發布IGBT6.0芯片比亞迪半導體，作為比亞迪集團的全資子公司，近年來在半導體領域取得了顯著的進展。為了進一步提升產品研發和技術實力，比亞迪半導體決定在西安啟用全新的研發中心，并計劃在此發布其全新的IGBT6.0芯片。一、西安研發中心的啟用比亞迪半導體在全國擁有五大研發及生產制造基地，分別是深圳、......
功率半導... IGBT... 智能控制...
2021-05-18
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為擴大碳化硅供應量，英飛凌與昭和電工達成合作
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為擴大碳化硅（SiC）供應量，英飛凌與昭和電工（現名為Resonac Corporation）確實達成了合作。以下是對這一合作的詳細分析：一、合作背景英飛凌的需求：英飛凌作為全球領先的半導體公司，對碳化硅材料的需求持續增長，特別是在汽車、太陽能、電動汽車充電應用和儲能系統等領域。昭和電工的供應能力：昭和電工（Resonac）在碳化硅材料領......
SiC材... 電源供應... 功率半導...
2021-05-13
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博世砸 12 億美元建車用芯片工廠：計劃年底量產傳感器芯片
博世砸 12 億美元建車用芯片工廠：計劃年底量產傳感器芯片
關于博世砸12億美元建車用芯片工廠，并計劃年底量產傳感器芯片的事件，以下是對此事件的詳細歸納：一、事件背景德國博世集團作為全球領先的汽車零部件及傳感器生產商，為了應對車用芯片市場的短缺和滿足未來電動汽車及混合動力車對傳感器芯片的需求，決定投資12億美元（約10億歐元）建設一座車用芯片工廠。二、工廠建設情況投資規模：博世集團計劃投資12億美......
傳感器芯... 功率半導... 處理傳感...
2021-03-11
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總投資120億元！聞泰科技“12英寸車規級功率半導體晶圓制造項目”正式開工！
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聞泰科技“12英寸車規級功率半導體晶圓制造項目”正式開工的相關信息可以歸納如下：一、項目背景與意義項目名稱：聞泰科技12英寸車規級功率半導體晶圓制造項目總投資：120億元人民幣意義：該項目是中國第一座12英寸車規級功率半導體自動化晶圓制造中心項目，對臨港新片區建設世界級的電動汽車全產業鏈具有重要意義。同時，該項目也是聞泰科技半導體業務實現......
半導體晶...
2021-01-06
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電裝新型高質量SiC功率半導體賦予豐田Mirai更高性能
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電裝新型高質量SiC（碳化硅）功率半導體確實賦予了豐田Mirai更高性能。以下是對這一技術的詳細分析：一、技術背景SiC材料特性：SiC是一種在高溫、高頻和高壓環境下具有卓越性能的半導體材料。與傳統的硅（Si）相比，SiC能顯著減少系統的功耗、尺寸和重量，并加速電氣化。電裝與豐田的合作：電裝和豐田在半導體技術方面一直有著深度的合作。從19......
SiC功...
2021-01-06
13
揭秘功率半導體，芯片國產替代黃金賽道！
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功率半導體是電子產業鏈中最核心的一類器件之一，它能夠實現電能轉換和電路控制，在電路中主要起著功率轉換、功率放大、功率開關、線路保護、逆變（直流轉交流）和整流（交流轉直流）等作用。近年來，隨著新能源汽車、新能源發電、變頻家電等新興領域的快速發展，功率半導體的市場需求日益增長，成為了芯片國產替代的黃金賽道。功率半導體的應用領域功率半導體廣泛應......
功率半導...
2020-12-15
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GaN Systems聯合安森美推出100V GaN半橋評估板
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GaN Systems與安森美半導體確實合作推出了100V GaN半橋評估板，以下是對該產品的詳細介紹：一、產品概述該100V GaN半橋評估板（如GS-EVB-HB-61008P-ON）是專為現有和全新的PCB設計而開發的，它使得電力電子設計人員能夠輕松評估GaN在應對不斷增長的48V市場應用中的表現。這些應用包括但不限于非隔離降壓轉換......
功率半導... GaN ... 安森美半...
2020-12-08
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SiC助力功率半導體器件的應用結溫升高，將大大改變電力系統的設計格局
SiC助力功率半導體器件的應用結溫升高，將大大改變電力系統的設計格局
SiC（碳化硅）助力功率半導體器件的應用結溫升高，將大大改變電力系統的設計格局，這一趨勢主要源于SiC材料在高溫、高頻、高功率密度等領域的顯著優勢，其影響體現在以下幾個方面：1. 結溫提升對系統設計的核心影響結溫從150℃邁向200℃+：傳統硅基功率器件的結溫通常限制在150℃以下，而SiC器件憑借其優異的熱導率和高溫穩定性，可將結溫提升......
半導體器...
2020-11-17
23
SiC: 為何被稱為是新一代功率半導體？
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SiC（碳化硅）之所以被稱為新一代功率半導體，主要源于其在材料特性、器件性能和應用場景上的革命性突破。以下從多個維度展開分析：一、材料特性優勢：SiC vs 傳統Si（硅）禁帶寬度更寬SiC禁帶寬度為3.26 eV，是Si（1.12 eV）的近3倍。優勢：耐高溫性能更強（SiC器件可在600℃以上工作，Si器件僅限200℃以下），減少散熱......
功率半導...
2020-10-14
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GaN功率半導體原廠鎵能半導體（GANPOWER）入駐拍明芯城
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GaN（氮化鎵）是第三代半導體材料，繼第一代Ge、Si半導體材料，第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的新型材料。英文全稱Gallium nitride，特性是帶隙寬（室溫下，Eg=3.4eV）、導熱率高、硬度很高、抗輻照能力強、擊穿能力出色、耐高溫、化學性能穩定等。更適合用于制造光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件，在5G、消費類......
GANP... 鎵能半導... ICZO...
2019-05-08
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功率半導體著名廠商固電半導體入駐拍明芯城
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無錫固電半導體股份有限公司(”isc“）按照國際標準制造和提供功率半導體器件，主要產品有雙極型晶體管BJT、場效應晶體管MOSFET、可控硅Thyristor、肖特基整流二極管、快恢復二極管、高功率晶閘管和整流管及模塊、射頻小信號晶體管RF Transistor、穩壓集成電路等。公司的功率半導體事業始于1991年，二十八年來堅持追求高......
固電半導... ICZO... 功率半導...
2019-02-20
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功率半導體原廠恒芯半導體（HKZ）入駐拍明芯城
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恒芯半導體目前產品種類超過三十多種封裝形式和一千多種型號，產品主要有：整流二極管、高效整流管、快恢復整流管、超快恢復整流管、肖特基二極管、穩壓二極管、瞬變電壓抑制二極管、橋式整流器、碳化硅肖特基、碳化硅MOS管、超結MOS管、高壓MOS管、中壓MOS管、低壓MOS管、單向可控硅、雙向可控硅等等。產品廣泛應用于充電器、適配器、智能插排、鋰電......
HKZ 恒芯半導... ICZO...
2018-09-06
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