GaN（氮化鎵）是第三代半導體材料，繼第一代Ge、Si半導體材料，第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的新型材料。英文全稱Gallium nitride，特性是帶隙寬（室溫下，Eg=3.4eV）、導熱率高、硬度很高、抗輻照能力強、擊穿能力出色、耐高溫、化學性能穩定等。更適合用于制造光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件，在5G、消費類快充電源、無人駕駛等領域得到廣泛應用。

圖1 半導體物理特性比較

鎵能半導體自2016年成立以來，一直專注于氮化鎵（第三代半導體材料）功率器件的事業，在IPM、服務器電源、電源適配器、快充等應用領域陸續推出了更高的能量轉換、更高的電源密度的解決方案。以系統應用端需求驅動芯片研發，已經在白色家電和新能源領域取得了顯著的研發成果。例如與美的空調IPM團隊緊密合作下，第三代半導體氮化鎵功率器件芯片研發和產業化取得國際領先的突破性進展：帶驅動IC的IPM專用第三代半導體氮化鎵功率器件，將直接替換IGBT用于美的空調IPM，能夠簡單快捷地研發出新型高能效高功率密度的IPM。公司還成功研發了1500V的漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)第三代半導體氮化鎵功率器件，填補氮化鎵芯片650V-1500V高壓應用的空缺，將用在大型光伏電站直接上高壓電網逆變器和其他高壓家電和工業電源項目。

鎵能自主研發的氮化鎵功率器件，共6系列，封裝齊全（包括LGA封裝、DFN封裝、SO封裝和TO 4種封裝），19種產品，產品包括氮化鎵功率器件系列、測試評估板系列、電源模塊、超小型快充適配器、服務器電源、無線充電功率放大和接收器等，成為國內首家第三代半導體材料（氮化鎵）功率器件種類最全的供應商。第三代半導體氮化鎵功率器件不僅性能參數遠優于硅功率器件，其平面結構亦給封裝架構和優化系統應用的集成帶來革命性的改變。在同等的功率下，其封裝成的器件體積可以越做越小，即功率密度越來越高。相對應于系統應用，氮化鎵功率器可以使電源產品的體積做得更小，電能的轉換效率更高，總體成本更低。

鎵能入駐拍明芯城，拍明芯城將充分發揮電子產業互聯網平臺優勢，幫助鎵能利用互聯網全渠道推廣和提升品牌影響力。雙方攜手為客戶提供優質服務，“GANPOWER”品牌的器件、模塊或方案已全面上架，歡迎咨詢或購買，專區入口：http://www.qoodd.com/brand/1890-c-1-20.html

鎵能產品的應用案例：

1、筆記本電源適配器

不僅是最先進的電源轉換技術利用GaN HEMT作為電源開關，而且努力打造一個杰作的藝術品。鎵能為筆記本電腦和其他移動設備開發世界上最小和最優雅的電源適配器。

2、太陽能板微逆變器

與中央逆變器相比，太陽能面板微逆變器僅適用于每個面板，允許單獨優化和最大功率點跟蹤（MPPT）。微型逆變器因其節能性強（約占輸出功率的5～25%）而越來越受到人們的青睞，從而降低了用戶的長期使用成本。大多數的微逆變器在1千瓦。GaN器件非常適合微型逆變器，因為太陽能電池板的功率效率非常重要！同時，GaN器件可以在更高的開關速度下工作，使較小的形狀因子和更高的功率密度。

3、新能源電動汽車站 

電動汽車正逐步取代世界各地的汽油車。電動汽車的最大挑戰之一是能否提供高效、快速充電和高功率充電站。由于高功率消耗的特性，這些充電站的效率是關鍵。從長遠來看，即使增加一半的效率百分之一也意味著大量的儲蓄。在這些應用中，氮化鎵功率器件自然比硅更容易選擇。一個充電站功率模塊由交流到直流轉換器，400V電壓輸出的汽車電池充電。鎵能正在與合作伙伴一起開發新一代電動汽車充電站。

4、GaN HEMT 器件的服務電源模塊

由于信息技術的飛速發展，現在是云計算和大數據時代。數據中心需要大量的服務器，每臺服務器的功率范圍在幾百瓦到一千瓦之間。結果表明，如果能通過將硅功率器件切換到GaN功率器件來獲得每個服務器的1%的效率，那么所節省的電力將是驚人的。例如，2010，數據中心的全球電力消耗接近2000億千瓦。如果每個服務器電源配GaN HEMT器件，可提高1%的效率，將可以節省20億千瓦。這足以使一個中等規模的城市維持一整年。如果在不久的將來，服務器耗電量增加10倍，則功率利用GaN HEMTs救了我們的力量的一個大城市如三藩或多倫多。鎵能正在與參與服務器的電源供應商合作，以提供最好的服務器電源模塊解決方案。 

關于鎵能半導體

鎵能半導體是佛山市政府2016引進的世界一流創新創業項目，以李政道博士CUSPEA的研究生和著名Crosslight的創始人李湛明博士海外團隊為基礎的初創公司。公司專注氮化鎵功率器件芯片設計、電力電子系統和無線電能傳輸的應用，是第二代無線充電AirFuel聯盟的會員。

公司相信基于業界共識的（第三代半導體材料）氮化鎵功率器件正準備取代硅器件以提高能量轉換效率和更加綠色環保。公司利用Gan HEMT是平面型器件易于集成的天然特征，以電力電子的系統應用為導向，反推Gan HEMT芯片或系統集成和封裝的最優設計，從而形成芯片設計和系統應用垂直整合的商業模式。

公司的目標是為客戶和社會提供一個實現綠色低碳生活的世界級產品。

公司的愿景是建立自己作為GaN器件技術和基于GaN的電力電子系統的國內，甚至國際的行業領導者。通過整合和利用公司在GaN HEMT功率器件設計，控制器和驅動器IC設計以及電力電子系統設計中的實力，正在創建一個垂直整合的設計價值鏈，為客戶提供先進的產品和技術支持。