碳化硅器件
碳化硅器件
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在電力電子行業的發展過程中,半導體技術起到了決定性作用。其中,功率半導體器件一直被認為是電力電子設備的關鍵組成部分。隨著電力電子技術在工業、醫療、交通、消費等行業的廣泛應用,功率半導體器件直接影響著這些電力電子設備的成本和效率。自從二十世紀五十年代真空管被固態器件代替以來,以硅(Si)材料為主的功率半導體器件就一直扮演著重要的角色。功率雙極性晶體管及晶閘管的問世,大大減小的電力電子設備的體積重量,同時提高了變換效率。為了滿足更高工作頻率及更高功率等級的要求,IR(International Rectifier)公司研發出首款功率MOSFET,接下來的二十年,功率半導體器件進入一個蓬勃發展的時期,很多新型的功率器件,比如IGBT、GTO、IPM相繼問世,并且在相關領域內得到越來越廣泛的應用。功率硅器件的應用已經相當成熟,但隨著日益增長的行業需求,硅器件由于其本身物理特性的限制,已經開始不適用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應用場合。



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