美國GENESIC碳化硅器件SiC超結晶體管(SJT)介紹及選型


原標題:美國GENESIC碳化硅器件SiC超結晶體管(SJT)介紹及選型
美國GENESIC碳化硅器件SiC超結晶體管(SJT)是一種高性能的半導體元件,具有顯著的高溫、高頻和低損耗特性。以下是對其的詳細介紹及選型要點:
一、SiC超結晶體管(SJT)介紹
耐高溫性能:SiC SJT在250℃時開關時間小于15ns,325℃時漏電流低于100uA,顯示出極佳的耐高溫性能。
高電流增益:SiC SJT的電流增益高達72,這在高溫和高頻應用中尤為重要。
反向偏置安全工作區:SiC SJT的反向偏置安全工作區呈矩形,無二次擊穿,具有承受長達22μs短路的能力,增強了其可靠性。
低損耗特性:與最好的全硅IGBT+Si二極管相比,SiC SJT與SiC肖特基二極管組合起來的開關損耗降低了約64%,非常適合高頻工作。
應用領域:SiC SJT適用于SMPS(開關模式電源)、太陽能轉換、風能、熱泵和儲能等領域的能源管理,以及工業自動化、網通、電網、電動機和國防等多元市場。
二、SiC超結晶體管(SJT)選型要點
電壓和電流處理能力:根據應用需求,選擇具有適當電壓和電流處理能力的SiC SJT。
耐高溫性能:如果應用涉及高溫環境,應特別注意SiC SJT的耐高溫性能。
開關頻率:對于需要高頻工作的應用,SiC SJT的低開關損耗特性是一個重要優勢。
可靠性:SiC SJT具有長期可靠性高、易于并聯等特點,是苛刻環境和大功率應用場合的可靠選擇。
封裝和尺寸:根據應用中的電路設計和空間限制,選擇合適的封裝和尺寸的SiC SJT。
三、結論
美國GENESIC的SiC超結晶體管(SJT)以其卓越的性能、耐高溫、高頻和低損耗特性,成為電力電子領域的重要元件。在選型時,應綜合考慮電壓和電流處理能力、耐高溫性能、開關頻率、可靠性和封裝尺寸等因素,以確保所選SiC SJT能夠滿足特定應用的需求。
責任編輯:
【免責聲明】
1、本文內容、數據、圖表等來源于網絡引用或其他公開資料,版權歸屬原作者、原發表出處。若版權所有方對本文的引用持有異議,請聯系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學習使用,不涉及商業目的。
3、本文內容僅代表作者觀點,拍明芯城不對內容的準確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨立判斷做出的,請讀者明確相關結果。
4、如需轉載本方擁有版權的文章,請聯系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉載原因”。未經允許私自轉載拍明芯城將保留追究其法律責任的權利。
拍明芯城擁有對此聲明的最終解釋權。