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ROM芯片和其他存儲器件相比有哪些優勢？
ROM芯片和其他存儲器件相比有哪些優勢？
ROM芯片與其他存儲器件相比，具有以下幾方面的優勢：一、數據穩定性與可靠性非易失性：ROM芯片中的數據在制造過程中被固化寫入，之后無法輕易更改或刪除，具有非易失性。即使計算機斷電或設備關機，ROM中的數據也不會丟失。這一特性使得ROM在需要長期保存數據的應用場景中占據重要地位。數據安全性：由于ROM中的數據不可更改，因此它提供了一種安全的......
ROM芯...
2025-01-02
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SHA-1存儲器件(DS1963S,DS1961S,DS28CN01,DS28E01-100和DS2432)的安全性是否依然足夠安全?
SHA-1存儲器件(DS1963S,DS1961S,DS28CN01,DS28E...
2005年，幾名中國學者對安全散列算法(SHA-1)的強大安全性做出了攻擊。本白皮書將討論這種攻擊方式，其結果表明：盡管比起最初的想法, SHA-1算法在抗碰撞上略有不足，但Maxim的SHA-1存儲器件的安全性并未受到影響。因此，該公司的SHA-1存儲器件(DS1963S、 DS1961S、DS28CN01、 DS28E01-100和D......
SHA-... DS19... DS19...
2024-02-26
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中欣晶圓啟動12英寸大硅片擴產，力爭年底達到每月10萬片規模
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中欣晶圓啟動12英寸大硅片擴產計劃是一個重要的產業發展舉措，以下是對該事件的詳細闡述：一、擴產背景與計劃杭州中欣晶圓半導體股份有限公司（簡稱“中欣晶圓”）作為國內極少數能量產12英寸大硅片的半導體材料企業，為了滿足市場對高性能硅片的需求，啟動了12英寸大硅片的擴產計劃。該計劃旨在將12英寸硅片的產能從每月3萬片擴展至更高的水平。具體來說，......
中欣晶圓 存儲器件 半導體
2021-03-23
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應對“更高”存儲器件的ALD填充技術
應對“更高”存儲器件的ALD填充技術
應對“更高”存儲器件的ALD（原子層沉積）填充技術，主要是針對3D NAND、DRAM等存儲器件在高深寬比復雜架構下的填隙難題而發展起來的。以下是對這一技術的詳細解析：一、技術背景與需求隨著存儲器件向更高密度、更小尺寸發展，3D NAND堆棧越來越高，存儲單元之間的間隙變得越來越小，這對填充技術提出了更高的要求。傳統的填充方法，如化學氣相......
存儲器件
2021-02-24
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泛林集團推出革命性的新刻蝕技術，推動下一代3D存儲器件的制造
泛林集團推出革命性的新刻蝕技術，推動下一代3D存儲器件的制造
泛林集團（Lam Research）作為半導體設備領域的領軍企業，確實推出了多項革命性的新刻蝕技術，這些技術對于推動下一代3D存儲器件的制造具有重要意義。以下是對泛林集團推出的新刻蝕技術的詳細歸納：一、Vantex?介電質刻蝕技術技術特點：基于泛林集團在刻蝕領域的領導地位，Vantex?為目前和下一代NAND和DRAM存儲設備提供了更高的......
D存儲器
2021-01-29
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避免存儲器件掉電丟數據,我們要怎么做？
避免存儲器件掉電丟數據,我們要怎么做？
為避免存儲器件在掉電時丟失數據，需從硬件設計、數據管理、器件選型及備份策略等多維度綜合防護。以下是具體措施及分析：一、硬件設計層面備用電源系統示例：工業級存儲模塊常集成超級電容，支持掉電后數據保存數秒至數分鐘，足夠完成關鍵數據寫入。超級電容/電池：在主電源斷開時，由超級電容或備用電池為存儲器件供電，確保數據寫入完成。電源監控電路：實時監測......
存儲器件 Nand... Flas...
2020-09-17
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