原標題：泛林集團推出革命性的新刻蝕技術，推動下一代3D存儲器件的制造

泛林集團（Lam Research）作為半導體設備領域的領軍企業，確實推出了多項革命性的新刻蝕技術，這些技術對于推動下一代3D存儲器件的制造具有重要意義。以下是對泛林集團推出的新刻蝕技術的詳細歸納：

一、Vantex?介電質刻蝕技術

1. 技術特點：

• 基于泛林集團在刻蝕領域的領導地位，Vantex?為目前和下一代NAND和DRAM存儲設備提供了更高的性能和更大的可延展性。

• 全新腔室設計能夠以更高的射頻（RF）功率刻蝕更高深寬比的器件，提升產能并降低成本。

• 更高的功率和射頻脈沖技術的結合可以實現嚴苛的CD（關鍵尺寸）控制，從而改進器件功能。

• 控制了刻蝕的垂直角度，以滿足3D器件結構設計密度要求，并在整個300mm晶圓上實現高良率。

2. 應用場景：

• 助力芯片制造商推進3D NAND和DRAM的技術路線圖，應用于智能手機、顯卡和固態存儲驅動等。

二、選擇性刻蝕產品組合

泛林集團還推出了三款開創性的選擇性刻蝕產品：Argos?、Prevos?和Selis?，這些產品旨在補充和擴展泛林集團的刻蝕解決方案組合。

1. Argos?：

• 提供革命性全新選擇性表面處理方式。

• 創新的MARS?（亞穩態活性自由基源）可以產生非常溫和的自由基等離子體，這是先進邏輯應用中高度選擇性表面改性所必需的。

2. Prevos?：

• 采用化學蒸汽反應器，用于極低能量下高精度的選擇性刻蝕。

• 泛林集團開發了一種全新專有化學催化劑，專門用于要求極高選擇性的應用，如天然氧化物突破、精密修整和凹槽。

3. Selis?：

• 通過使用低能量自由基源控制等離子體，將能量調諧提升到一個全新的水平。

• 具有極低的能量處理模式，專為選擇性必須超高的極端應用而設計，例如對于形成GAA（環柵）結構非常關鍵的SiGe選擇性刻蝕步驟。

三、Lam Cryo 3.0低溫電介質蝕刻技術

1. 技術特點：

• 經過優化，可解決1000層3D NAND所帶來的蝕刻挑戰。

• 采用了泛林集團獨特的高功率受限等離子反應器、工藝改進和遠低于0攝氏度的溫度，從而可以利用新的蝕刻化學成分。

• 當與泛林集團最新的Vantex?介電系統的可擴展脈沖等離子技術相結合時，蝕刻深度和輪廓控制顯著提高。

2. 應用場景：

• 滿足高性能、高密度NAND閃存的需求，推動3D NAND向更高層數發展。

四、技術影響與意義

1. 推動技術創新：泛林集團的新刻蝕技術不僅提升了刻蝕的精度和效率，還推動了半導體制造技術的整體創新。

2. 促進產業發展：這些技術為下一代3D存儲器件的制造提供了有力支持，有助于提升存儲器件的性能和容量，滿足市場對高性能存儲的需求。

3. 環保與可持續性：部分新技術如Lam Cryo 3.0還注重環保和可持續性，通過降低能耗和減少排放量來減少對環境的影響。

綜上所述，泛林集團推出的新刻蝕技術在推動下一代3D存儲器件的制造方面發揮了重要作用，不僅提升了技術水平和生產效率，還有助于促進半導體產業的持續發展和創新。