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2020-10
c方框圖及性能指標
一、超外差收音機方框圖超外差收音機通過變頻將高頻信號轉換為中頻信號，便于放大與解調，其核心方框圖如下：模塊名稱功能說明信號流向天線與輸入回路接收空間電磁波，通過LC諧振電路選擇特定頻率信號，抑制其他頻率干擾空間電磁波→天線→輸入回路（輸出選定頻率信號）高頻放大器（可選）提升微弱信號幅度，改善信噪比（部分收音機省略此模塊）輸入回路→高頻放大......
2020-10
一個公式得知固態硬盤使用壽命
一、核心公式：基于TBW的壽命估算SSD的理論壽命可通過以下公式計算：理論壽命（年）=每日寫入量（GB/天）×365TBW（總寫入量，單位：TB）×1024TBW：廠商標注的SSD總可寫入數據量（如500TBW表示累計可寫入500TB數據）。每日寫入量：用戶實際每日寫入的數據量（需結合使用場景估算）。示例：SSD參數：1TB容量，TBW=......
2020-10
你知道高頻與射頻的本質區別嗎？
高頻（High Frequency, HF）與射頻（Radio Frequency, RF）是電磁波領域中兩個密切相關但存在本質差異的概念。以下從定義、頻率范圍、應用場景及物理特性等維度進行全面對比。一、核心定義與頻率范圍高頻（HF）屬于短波頻段，可通過電離層反射實現遠距離通信（如短波廣播）。易受電離層擾動影響，信號穩定性較差。定義：高頻......
2020-10
究竟LLC諧振的魅力所在何方？
LLC諧振變換器（LLC Resonant Converter）是現代電力電子領域中的明星拓撲，尤其在高效DC-DC轉換、電動汽車充電、數據中心電源等場景中占據核心地位。其魅力源于其獨特的軟開關特性、高效率、寬負載范圍適應性以及電磁兼容性（EMC）優勢。以下從技術原理、性能優勢、應用場景及設計挑戰四個維度深入解析。一、LLC諧振的核心原理......
2020-10
什么是CMOS軌到軌放大器電路？
CMOS軌到軌（Rail-to-Rail）放大器是一種能夠在輸入或輸出信號接近電源電壓（即“軌”）時仍保持線性放大的運算放大器（Op-Amp）。其核心優勢在于擴展信號動態范圍，適用于低電壓供電系統（如1.8V、3.3V）和高精度傳感器信號處理。以下從原理、實現方式、應用場景及設計挑戰四個維度展開分析。一、CMOS軌到軌放大器的核心原理傳統......
2020-10
液體測量－－從水到血液
液體測量是工業、醫療、環境監測等領域的核心技術之一，其測量對象涵蓋從普通水體到復雜生物流體（如血液）。不同液體的物理化學特性差異顯著，因此需要針對性的測量技術和設備。以下從測量對象特性、核心測量技術、典型應用場景及技術挑戰四個維度展開分析。一、液體特性對比：水 vs 血液特性水血液成分純水或含少量電解質紅細胞、白細胞、血漿、蛋白質等粘度低......
2020-10
大佬漫談電容器件，瓷片、獨石、陶瓷電容有何區別?
在電子電路中，瓷片電容、獨石電容和陶瓷電容是高頻應用中常見的無源器件，但三者名稱常被混淆。實際上，陶瓷電容是總稱，瓷片電容和獨石電容是其兩種典型結構類型。以下從定義、結構、性能、應用場景等維度展開深度對比。一、定義與分類關系陶瓷電容（Ceramic Capacitor）總稱：以陶瓷材料為介質、金屬電極（如銀、鈀）為極板的電容器。分類：根據......
2020-10
功率器件結溫和殼頂溫度一樣嗎？
結論：功率器件的結溫（Junction Temperature, Tj）與殼頂溫度（Case Temperature, Tc）通常不同，兩者之間存在熱阻（Rθjc）導致的溫差。理解這一差異對器件可靠性設計至關重要。一、核心概念定義結溫（Tj）定義：功率器件內部PN結的實際溫度，直接影響器件的電學性能和壽命。關鍵性：超過最大結溫（如SiC ......
2020-10
如何讀懂功率器件，教你從小白變大神的進階之路
功率器件（如MOSFET、IGBT、SiC/GaN器件）是電力電子系統的核心，其選型、驅動和熱設計直接影響系統效率與可靠性。以下從基礎認知→核心參數→選型方法→實戰技巧四個維度，系統性梳理進階路徑。一、基礎認知：功率器件的核心分類與工作原理器件類型與典型應用器件類型核心結構典型應用優缺點MOSFET金屬-氧化物-半導體場效應管開關電源、電......
2020-10
功率器件應該如何選擇和標定？
功率器件的選擇和標定是電力電子系統設計中的關鍵環節，直接影響到系統的效率、可靠性和成本。以下從選擇和標定兩個方面進行詳細闡述：一、功率器件的選擇1. 明確應用需求在選擇功率器件之前，必須明確系統的設計需求，包括但不限于：電壓等級：輸入/輸出電壓范圍、最大耐壓要求。電流等級：最大負載電流、瞬態電流能力。開關頻率：工作頻率范圍、開關損耗要求。......
2020-10
占空比的上限
占空比（Duty Cycle）是指在一個脈沖循環內，脈沖信號處于高電平（或有效狀態）的時間與整個脈沖周期時間的比值，通常用百分比表示。占空比的上限取決于多個因素，不同應用場景下上限有所不同，以下從幾個常見方面進行分析：數字電路與信號傳輸理論上限：從純理論角度看，占空比上限為100%，即脈沖信號在整個周期內都處于高電平狀態。然而，在實際數字......
2020-10
LED LED背光 OLED的原理是什么？
LED背光和OLED是兩種不同的顯示技術，它們的原理有顯著區別，以下將分別闡述LED背光和OLED的原理：LED背光原理LED背光是一種利用發光二極管（LED）作為光源的背光技術，主要用于液晶顯示器（LCD）中，以替代傳統的冷陰極熒光燈（CCFL）背光。其核心原理基于LED的發光特性：發光二極管（LED）：LED是一種半導體器件，由P型半......
2020-10
大功率變頻電源的技術應該如何創新
大功率變頻電源技術的創新可以從多個關鍵方面入手，以提升其性能、效率、可靠性和適用性，以下為你詳細介紹：功率器件與拓撲結構創新采用新型功率器件碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）器件：相較于傳統的硅（Si）基功率器件，SiC和GaN器件具有更高的擊穿電場、更低的導通電阻和更快的開關速度。例如，在相同電壓等級下，SiC MOSFET的導通電阻可......
2020-10
關于EMI屏蔽背后的的方方面面，你知道嗎？
EMI（Electromagnetic Interference，電磁干擾）屏蔽是電子工程和電磁兼容性（EMC）領域中的一個重要概念，旨在防止或減少電磁能量從一個設備或系統無意中輻射到另一個設備或系統，從而避免性能下降或故障。以下是關于EMI屏蔽背后的方方面面的詳細解析：一、EMI屏蔽的基本原理EMI屏蔽的基本原理是利用導電或導磁材料來阻......
2020-10
半導體元器件容易失效的原因，離不開這五大原
半導體元器件容易失效的原因，確實主要離不開以下五大原因：1.材料與工藝缺陷材料不純：半導體材料（如硅、鍺等）在生長和提純過程中可能含有雜質，這些雜質會成為電荷陷阱或復合中心，影響載流子的遷移率和壽命，從而降低器件性能，甚至導致失效。工藝控制不當：在制造過程中，如光刻、刻蝕、摻雜、薄膜沉積等步驟，若工藝參數（如溫度、壓力、時間、氣體流量等）......
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