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III類管
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陽離子II類管和III類管哪個更適合做電子器件？
陽離子II類管和III類管哪個更適合做電子器件？
一、核心結論：III類管全面勝出，II類管僅適用于特定場景直接答案：III類管（III-V族化合物半導體）更適合做電子器件，因其高頻、高壓、高速性能及工藝成熟度遠超II類管（II-VI族化合物半導體）。II類管僅在長波紅外探測和特定紫外波段發光領域具有不可替代性。二、關鍵性能對比：III類管的技術碾壓優勢性能指標III類管（以GaN為例）......
III類...
2025-04-29
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陽離子II類管和III類管有什么不同？
陽離子II類管和III類管有什么不同？
一、分類基礎：陽離子族系與晶體化學鍵II類管（II-VI族化合物半導體）陽離子來源：第II族元素（Zn、Cd、Hg、Mg等）陰離子來源：第VI族元素（S、Se、Te、O等）鍵合特性：離子鍵主導（如Zn-Se鍵），陽離子與陰離子電負性差異大（如Zn電負性1.65，Se電負性2.55），導致晶格振動強、電子遷移率低。晶體結構：多為閃鋅礦或纖鋅......
陽離子I...
2025-04-29
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什么是陽離子II類管和III類管？
什么是陽離子II類管和III類管？
一、分類依據：陽離子族系與晶體結構II類管（II-VI族化合物半導體）陽離子：第II族元素（Zn、Cd、Hg、Mg等）陰離子：第VI族元素（S、Se、Te、O等）典型材料：ZnSe、CdTe、HgCdTe、ZnO鍵合特性：以離子鍵為主（如Zn-Se鍵），晶格常因離子半徑差異導致失配，易產生缺陷。能帶結構：直接/間接帶隙混合（如ZnSe為直......
陽離子I...
2025-04-29
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II類管和III類管的特點和用途是什么？
II類管和III類管的特點和用途是什么？
一、核心特點對比對比維度II類管（II-VI族化合物半導體）III類管（III-V族化合物半導體）材料體系ZnSe、CdTe、HgCdTe、ZnO等（陽離子為第II族元素）GaAs、InP、GaN、AlGaAs等（陽離子為第III族元素）鍵合方式離子鍵為主（如Zn-Se鍵），晶格失配大，易產生缺陷共價鍵為主（如Ga-As鍵），晶格匹配性好......
III類...
2025-04-29
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III類管和II類管之間有什么區別？
III類管和II類管之間有什么區別？
一、分類依據與基本概念化合物半導體分代規則II類管：陽離子為第II族元素（如Zn、Cd、Hg）與第VI族元素（如S、Se、Te）組成的化合物半導體器件，典型材料包括ZnSe、CdTe、HgCdTe等。III類管：陽離子為第III族元素（如Al、Ga、In）與第V族元素（如As、P、N）組成的化合物半導體器件，典型材料包括GaAs、InP、......
III類...
2025-04-29
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HEMT管和III類管有什么區別？
HEMT管和III類管有什么區別？
一、概念與范疇界定HEMT（高電子遷移率晶體管）依賴2DEG導電，無需反型層，電子遷移率極高（如GaN HEMT的2DEG遷移率可達2000 cm2/V·s以上）。適用于高頻（毫米波）、高壓、高功率場景。III-V族化合物半導體（如GaAs、InP、GaN、AlGaN/GaN異質結）。典型結構：AlGaAs/GaAs（第一代HEMT）、I......
HEMT...
2025-04-29
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