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G2 mosfet
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英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet的介紹、特性、及應用
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英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet充分利用碳化硅的性能，實現更低的能量損耗，從而在功率轉換過程中轉化為更高的效率。英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet為各種功率半導體應用提供了優勢，如光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機驅動和工業電源。配備CoolSiC G2的電動汽車直流快速充電站的功率損耗比前幾代產品減少了......
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2024-04-18
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英飛凌完善SiC MOSFET溝槽技術 200V CoolSiC G2 MOSFET
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　　與上一代產品相比，英飛凌的 650V 和 1200V CoolSiC G2 MOSFET 將存儲能量和充電量提高了 20%。第二代 CoolSiC 溝槽 MOSFET 繼續利用碳化硅的性能屬性，有助于減少功率轉換過程中的能量損耗并提高效率。　　　　CoolSiC G2 對硬開關操作和軟開關拓撲的關鍵品質因數進行了改進。這些器件的快速......
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2024-03-11
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英飛凌CoolSiC 1200V G2 mosfet的介紹、特性、及應用
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英飛凌CoolSiC 1200V G2 mosfet是一款高性能的電力電子應用解決方案。英飛凌G2 mosfet在25°C時的額定電壓為1200V，在+100°C時的I(DDC)為6.2A，在18V柵源電壓時的R(DS(on))為233.9毫歐。這些mosfet具有優異的電氣特性和極低的開關損耗，能夠實現高效的工作。mosfet專為過載條......
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