您現在的位置： 首頁 > 標簽 > LFPAK56
LFPAK56
LFPAK56
相關文章 : 1篇 瀏覽 : 15次

利用雙MOSFET最大限度地提高開關轉換器應用的功率密度和性能（LFPAK56D MOSFET和IAN50012）
利用雙MOSFET最大限度地提高開關轉換器應用的功率密度和性能（LFPAK56D...
　　作者：Jens Wallmann　　工業和汽車開關轉換器和電機驅動器需要體積小、效率高且產生最小電噪聲的金屬氧化物硅場效應晶體管 (MOSFET)。雙 MOSFET 方法有助于滿足這些要求。　　通過將兩個 MOSFET 放入單個封裝中，精心設計的雙 MOSFET 可以減少印刷電路板 (PCB) 上的空間占用，減少寄生電感，并通過提......
開關轉換... LFPA... MOSF...
2024-03-04
141
安派瑞PSMNx n溝道mosfet封裝(LFPAK56封裝)的介紹、特性、及應用
安派瑞PSMNx n溝道mosfet封裝(LFPAK56封裝)的介紹、特性、及應...
安派瑞PSMNx n溝道mosfet封裝在高效、節省空間的LFPAK56封裝中。這些mosfet是雪崩級的。PSMNx n溝道mosfet支持175°C的最高結溫。這些mosfet符合歐盟rohs標準。PSMNx n溝道mosfet的峰值焊接溫度為260°C，存儲溫度范圍為-55°C至175°C。典型的應用包括DC- DC轉換器和無刷直流......
安派瑞 LFPA... n溝道M...
2024-03-04
15
利用雙MOSFET LFPAK56D最大限度地提高開關轉換器應用的功率密度和性能(BUK7S1R0-40H和PSMN014-40HLDX)
利用雙MOSFET LFPAK56D最大限度地提高開關轉換器應用的功率密度和性能...
　　作者：Jens Wallmann　　工業和汽車開關轉換器和電機驅動器需要體積小、效率高且產生最小電噪聲的金屬氧化物硅場效應晶體管 (MOSFET)。雙 MOSFET 方法有助于滿足這些要求?！　⊥ㄟ^將兩個 MOSFET 放入單個封裝中，精心設計的雙 MOSFET 可以減少印刷電路板 (PCB) 上的空間占用，減少寄生電感，并通過提......
開關轉換... MOSF... LFPA...
2024-02-28
126
Nexperia LFPAK56D網格狀的場效應管的介紹、特性、及應用
Nexperia LFPAK56D網格狀的場效應管的介紹、特性、及應用
Nexperia的LFPAK56D網格狀的場效應管（具體可能是指半橋MOSFET或其他相關產品），代表了該公司在半導體封裝技術方面的先進成果。LFPAK56D封裝格式不僅節省空間，還優化了熱性能，是高效能源管理的理想選擇。特性低寄生電感：LFPAK56D設計顯著降低了60%的寄生電感，有助于提高系統性能和穩定性?？臻g節?。号c雙MOSFET......
Nexp... LFPA... 場效應管
2022-05-13
118
Nexperia擴展LFPAK56D MOSFET產品系列，推出符合AEC－Q101標準的半橋封裝產品
Nexperia擴展LFPAK56D MOSFET產品系列，推出符合AEC－Q1...
Nexperia（安世半導體）擴展了其LFPAK56D MOSFET產品系列，推出了符合AEC-Q101標準的半橋封裝產品。以下是對這一新品的詳細解析：一、產品背景與意義采用兩個MOSFET的半橋配置是許多汽車應用（包括電機驅動器和DC/DC轉換器）的標準構建模塊。Nexperia作為關鍵半導體器件領域的專家，此次推出的LFPAK56D半......
半橋封裝 汽車動力... PCB連...
2021-03-02
88