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NVM可編程器件
NVM可編程器件
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本發明公開了一種新的NVM器件,稱為SONONOS器件.該SONONOS器件是將傳統的SONOS器件中的ONO層改為ONONO層,并利用其中位于上方的氮化硅層存儲電子或空穴.該SONONOS器件不但能保持SONOS器件高速,低功耗的特性,還能進一步提高器件的數據保持能力,尤其是高溫下的可靠性能力.本發明還公開了所述SONONOS器件的制造方法.