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MOCVD設備
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MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術。 MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。

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光電材料 半導體材... MOCV...
2021-09-02
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