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硅穿孔
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硅穿孔（英語：Through Silicon Via, 常簡寫為TSV，也稱做硅通孔）是一種穿透硅晶圓或芯片的垂直互連。 TSV 是一種讓3D IC封裝遵循摩爾定律（Moore's Law）的互連技術，TSV可堆疊多片芯片，其設計概念來自于印刷電路板（PCB）, 在芯片鉆出小洞（制程又可分為先鉆孔及后鉆孔兩種, Via First, Via Last），從底部填充入金屬, 硅晶圓上以蝕刻或激光方式鉆孔（via），再以導電材料如銅、多晶硅、鎢等物質填滿。此一技術能夠以更低的成本有效提高系統的整合度與效能。

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存儲器 硅穿孔 驅動IC
2021-08-31
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