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高壓側晶體管
高壓側晶體管
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本發明提供了一種高壓晶體管的制作方法,通過在其高壓阱上方一次形成相互分離的第一虛擬柵極,第二虛擬柵極,工作柵極,可以省略在硅襯底有源區專門形成金屬硅化物阻擋層的工藝步驟;進行離子注入形成高壓晶體管的源,漏前,需在整個硅襯底上形成圖形化光刻膠,當第一虛擬柵極,第二虛擬柵極與工作柵極的間隙較小時,相鄰柵極之間的側壁構成足夠厚的層,此時相鄰柵極之間可以不用覆蓋光刻膠,直接以高壓阱上相鄰的柵極及相鄰柵極之間的側墻為掩膜在該區域實現自對準離子注入,簡化了形成圖形化光刻膠前制作掩膜版的工藝.基于所述制作方法,本發明還提供了一種高壓晶體管.

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2021-08-13
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