GaN半導體器件
GaN半導體器件
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今天,基于GaN器件的快充已在消費電子市場站穩腳跟。 現在,我們把時間撥回到1928年。一天,Jonason等人合成了一種Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料,也就是GaN。恐怕當時他們怎么也想不到,在經歷了將近一個世紀不溫不火的狀態后,今天,GaN這種新型的半導體材料徹底引爆了全球功率器件的革新。 在消費電子市場的成功說明了目前整個GaN行業的制造工藝和相關器件的性能得到了充分的驗證。在全球進軍工業4.0、中國新基建開啟征程的時刻,5G、工業互聯網、新能源車及充電樁、光伏電網及特高壓、人工智能、云計算大數據中心等,每年要消耗的能源無疑是一個天文數字,市場急需更高效和更高密度的電源系統。
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