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高壓雙極器件
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針對常規雙極功率晶體管 (BPT)中存在的高頻,高電流增益和高CE擊穿電壓間的固有矛盾,本文基于Kondo提出的GAT結構,利用刻槽淀積P+多晶硅基區的新工藝,研制了一 種高頻高壓雙極性功率器件,并對該器件的基區電場屏蔽效應進行了解析研究,實驗獲得了預期的效果.

深度解析模擬技術中 ESD 穩健設計的挑戰
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在模擬技術中，靜電放電（ESD）穩健設計面臨著多方面的挑戰。以下是對這些挑戰的深入解析：一、技術差異與復雜性模塊化構建的挑戰：模擬技術通常是模塊化構建的，允許IC設計人員僅選擇一部分可用的工藝掩模，以精確定制設計需求。這種靈活性在ESD設計中帶來了挑戰，因為ESD保護的實際行為在很大程度上取決于所選的掩模組。ESD設計人員必須支持具有不同......
電壓抑制... 可控硅整... 高壓雙極...
2021-07-20
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