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GAA工藝
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5月14日，在三星的代工論壇活動中，三星發布了其第一款3nm工藝的產品設計套件（PDK） alpha 0.1版本，旨在幫助客戶盡早開始設計工作，提高設計競爭力，同時縮短周轉時間（TAT）。這一宣布的特別之處在于，3nm是三星打算推出下一代環繞柵極Gate-All-Around（GAA）技術以取代FinFET的工藝節點。這個被稱為當前FinFET 技術進化版的生產技術，能夠對芯片核心的晶體管進行重新設計和改造，使其更小更快。

首發GAA晶體管技術，三星3nm工藝成功流片
首發GAA晶體管技術，三星3nm工藝成功流片
關于首發GAA晶體管技術，三星3nm工藝成功流片的相關信息，可以歸納如下：一、流片背景在半導體工藝領域，三星與臺積電一直保持著激烈的競爭態勢。隨著5nm工藝的逐步量產，3nm工藝成為了兩大芯片代工商關注的焦點。為了在這一領域取得領先地位，三星選擇了更為先進的GAA（Gate-All-Around，全環繞柵極晶體管）技術，而臺積電則繼續沿用......
GAA晶... 通道場效... GAA工...
2021-07-01
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