本實用新型提供一種互連結構及半導體器件,所述互連結構包括:基底,第一層間介質層,位于基底上,且第一層間介質層內具有第一金屬層,第二層間介質層,覆蓋第一層間介質層和第一金屬層,且第二層間介質層內形成有第二凹槽,第二凹槽暴露出部分第一金屬層,第二阻擋層,形成于第二凹槽的側壁及底部,且第二阻擋層的材質包含鉭化釕;第二金屬層,填充于第二凹槽內.在第二凹槽的側壁及底部形成有第二阻擋層,且第二阻擋層的材質包含鉭化釕,從而使得后續形成的第二金屬層的浸潤性更好.并且,第一金屬層內形成有凹陷,使得通孔的底部呈弧形,增大了通孔電流的橫截面積,從而減小通孔的接觸電阻,增加抗電子遷移能力.