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靜電吸盤
靜電吸盤
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ETCH過程中,wafer需要固定在chamber底部,早期的wafer是靠物理方法固定,即機械夾具,后來隨著制程的不斷進步,漸漸被靜電吸盤(ESC:Electro-Static-Chuck)替代,同時ESC還作為下電極。 靜電吸盤的基本原理是異向電荷之間相互吸引,即wafer與electron之間通過不同種電荷之間的庫侖力相互吸引,使wafer穩定在電極上。從結構上可分為:單極型和雙極型,從靜電吸盤材料上可分為庫侖力型和迥斯熱背型。 單極型靜電吸盤,wafer從plasma中獲取電荷,電極通電產生異向電荷,從而產生吸附。