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溝道器
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實施例針對具有超長溝道的垂直場效應晶體管(VFET)的方法和所得結構.在襯底上形成一對半導體鰭片.在襯底上的半導體鰭之間形成半導體柱.在所有半導體鰭下方和部分半導體柱下方延伸的區域摻雜.在半導體鰭片的溝道區域和半導體柱上方形成導電柵極.當柵極被激活時,半導體柱的表面用作擴展的溝道

Vishay推出全球領先的汽車級80 V P溝道MOSFET，以提高系統能效和功率密度
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Vishay推出的全球領先的汽車級80V P溝道MOSFET，確實旨在提高系統能效和功率密度。以下是對該產品的詳細介紹：一、產品概述Vishay推出的這款汽車級80V P溝道MOSFET，型號為SQJA81EP，是一款通過AEC-Q101認證的全球先進產品。它采用歐翼引線結構PowerPAK SO-8L小型封裝，具有出色的性能表現。二、主......
溝道器件 溝道器 柵極驅動
2021-04-09
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