CMOS靜態內存芯片
CMOS靜態內存芯片
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由于存儲器制程比較簡單,存儲單元均可快速被復制,可以幫助先進制程工藝快速提升良率。所以,在過去很長的一段時間內,存儲器都扮演著肯為先進制程工藝成為“吃螃蟹的人”。但是,伴隨著先進制程工藝進入到65nm以后,相當一部分先進制程工藝的廠商已經積累了足夠的經驗,可以跳躍過存儲器的驗證,直接將先進制程用于邏輯產品。 與此同時,伴隨著AI、物聯網等領域的興起,使得大數據的應用越來越廣泛,這些新興領域在不斷催促著存儲器追趕先進制程的腳步。目前,各大存儲器大廠都在升級20nm制程,其中,DRAM、閃存和 SRAM 等傳統內存仍然是市場上的主力技術。 ———————————————— 版權聲明:本文為CSDN博主「Chrysalid」的原創文章,遵循CC 4.0 BY-SA版權協議,轉載請附上原文出處鏈接及本聲明。 原文鏈接:https://blog.csdn.net/weixin_29046611/article/details/112530433
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