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3GAE
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集微網消息，三星在最近的IEEE國際固態電路會議上，分享了自家在3nm GAE MBCEFET芯片制造方面的一些細節。 根據DigiTimes發布的最新把報告，臺積電的3nm工藝將在今年下半年開始試產。近年來，三星和臺積電在先進工藝制程方面的競爭愈發激烈。雖然三星一直處于落后于臺積電的位置，但也在不停追趕。

三星演示 3nm MBCFET 芯片：采用納米片結構制造晶體管
三星演示 3nm MBCFET 芯片：采用納米片結構制造晶體管
三星展示的3nm MBCFET芯片是一項重大的技術創新，以下是關于該芯片的詳細介紹：一、MBCFET技術概述MBCFET（多橋通道場效應晶體管）是三星推出的一種全新的晶體管技術，該技術使用納米片（nanosheet）結構來制造晶體管。與傳統的GAAFET（閘極全環場效晶體管）工藝相比，MBCFET工藝在晶體管結構上有所創新，它采用更厚更寬......
晶體管 固態電路 3GAE
2021-03-16
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