(GAA)架構
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金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)是現代集成電路中最重要的元件之一,MOSFET的基本結構包括:半導體襯底;位于半導體襯底表面的柵極結構,所述柵極結構包括:位于半導體襯底表面的柵介質層以及位于柵介質層表面的柵電極層;位于柵極結構兩側半導體襯底中的源漏摻雜區。 隨著半導體技術的發展,傳統的平面式的MOSFET對溝道電流的控制能力變弱,造成嚴重的漏電流。鰭式場效應晶體管(Fin FET)是一種新興的多柵器件,它一般包括凸出于半導體襯底表面的鰭部,覆蓋部分所述鰭部的頂部表面和側壁的柵極結構,位于柵極結構兩側的鰭部中的源漏摻雜區。與平面式的MOSFET相比,鰭式場效應晶體管具有更強的短溝道抑制能力,具有更強的工作電流。
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