金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)是現代集成電路中最重要的元件之一，MOSFET的基本結構包括：半導體襯底；位于半導體襯底表面的柵極結構，所述柵極結構包括：位于半導體襯底表面的柵介質層以及位于柵介質層表面的柵電極層；位于柵極結構兩側半導體襯底中的源漏摻雜區。 隨著半導體技術的發展，傳統的平面式的MOSFET對溝道電流的控制能力變弱，造成嚴重的漏電流。鰭式場效應晶體管(Fin FET)是一種新興的多柵器件，它一般包括凸出于半導體襯底表面的鰭部，覆蓋部分所述鰭部的頂部表面和側壁的柵極結構，位于柵極結構兩側的鰭部中的源漏摻雜區。與平面式的MOSFET相比，鰭式場效應晶體管具有更強的短溝道抑制能力，具有更強的工作電流。