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SiC Devices
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意法半導體的碳化硅器件包括STPOWERSiC MOSFET（具有650 - 1700 V電壓范圍、業界最高的200 °C額定結溫，可據此作出更有效、簡化的設計）和STPOWERSiC二極管（電壓范圍600 - 1200 V，具有負開關損耗以及比標準硅二極管低15%的前向電壓（VF））。

New Rohm Fab Will Add Capacity for SiC Devices
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New Rohm Fab（羅姆半導體集團的新工廠）確實將增加SiC（碳化硅）器件的產能。以下是對此事件的詳細解讀：一、背景介紹羅姆半導體集團（ROHM Co., Ltd.）是全球著名的半導體廠商之一，成立于1958年，總部位于日本京都市。該公司以“品質第一”為方針，致力于半導體產品的研發、生產和銷售，產品涵蓋IC、分立元器件、光學元器件、......
SiC ... ROHM
2021-02-26
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