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檢測裸硅圓片
檢測裸硅圓片
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就產品質量和生產環境的清潔度而言，半導體行業是一個要求很高的行業。金屬污染對芯片有害，所以應避免裸晶圓片上有金屬污染。本文的研究目的是交流解決裸硅圓片上金屬污染問題的經驗，介紹如何使用互補性測量方法檢測裸硅圓片上的少量金屬污染物并找出問題根源，解釋從多個不同的檢測方法中選擇適合方法的難度，以及用壽命測量技術檢測污染物對熱處理的依賴性。

用于檢測裸硅圓片上少量金屬污染物的互補性測量技術
用于檢測裸硅圓片上少量金屬污染物的互補性測量技術
在半導體制造過程中，裸硅圓片上的金屬污染物對芯片的性能和可靠性有著至關重要的影響。為了準確檢測這些少量金屬污染物并找出其根源，通常需要采用多種互補性測量技術。以下是一些常用的檢測裸硅圓片上少量金屬污染物的互補性測量技術：一、全反射X射線熒光（TXRF）分析儀原理：利用角度極小的X射線激勵拋光晶圓片表面，以獲得表面上的金屬污染物含量的映射圖......
檢測裸硅...
2021-02-23
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