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氮化鎵器
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非線性模型簡化了氮化鎵器件仿真
非線性模型簡化了氮化鎵器件仿真
　　由 蘇珊·諾迪克　　Gallium Semi發布了一個非線性模型庫，用于其所有寬帶雙扁平無鉛(DFN)塑料和氣腔陶瓷(ACC)封裝GaN晶體管。這 22 個模型采用寬帶 S 參數和負載牽引測量進行設計和驗證，以確保準確的仿真。　　　　Gallium的GaN基半導體器件可用于廣泛的應用，包括5G移動通信、航空航天、國防、工業、科學和醫......
氮化鎵器... 非線性模... Gall...
2023-03-09
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科銳推出多款碳化硅基氮化鎵器件，助力大型雷達加速發展
科銳推出多款碳化硅基氮化鎵器件，助力大型雷達加速發展
科銳（Cree）作為碳化硅（SiC）技術和生產的全球領先企業，確實推出了多款碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）器件，這些器件在大型雷達的發展中起到了重要的推動作用。以下是對科銳推出的碳化硅基氮化鎵器件及其助力大型雷達加速發展的詳細分析：一、科銳推出的碳化硅基氮化鎵器件科銳推出的多款碳化硅基氮化鎵器件包括Wolfspeed CMPA90......
放大器 AESA... GaN器...
2021-04-21
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最新的氮化鎵器件可提供高達100W的功率，并支持從USB PD適配器到家電輔助電源的應用
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1. 氮化鎵（GaN）器件的高功率特性功率提升原理：氮化鎵是一種寬禁帶半導體材料，相較于傳統硅基器件（如MOSFET、IGBT），具有更高的電子遷移率、更低的導通電阻和更快的開關速度。這些特性使得GaN器件在相同尺寸下可承受更高的電壓和電流，從而實現更高的功率密度。100W功率的實現：現代GaN功率器件（如GaN HEMT）通過優化結構設......
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2020-10-28
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