東芯半導(dǎo)體作為專注于中小容量存儲(chǔ)芯片研發(fā)設(shè)計(jì)的公司，在上海慕尼黑電子展上的亮相無疑引起了廣泛關(guān)注。以下是對(duì)東芯半導(dǎo)體及其在上海慕尼黑電子展上展示的產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：一、東芯半導(dǎo)體簡介東芯半導(dǎo)體股份有限公司成立于2014年，是一家專注于中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的公司。它是目前國內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND、NOR......

GTX/GTH收發(fā)器時(shí)鐘架構(gòu)是高速串行通信中的重要組成部分，它支持多種協(xié)議，如PCIe Gen1/2/3、SATA、Ethernet等，并在數(shù)據(jù)處理和傳輸中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下是對(duì)GTX/GTH收發(fā)器時(shí)鐘架構(gòu)的詳細(xì)介紹：一、GTX/GTH收發(fā)器概述GTX/GTH收發(fā)器是Xilinx FPGA系列中的高速串行通信收發(fā)器，具有高度可配置性，并......

關(guān)于NAND控制器大缺貨以及二季度可能再漲價(jià)的情況，這確實(shí)反映了當(dāng)前半導(dǎo)體市場的緊張態(tài)勢和供應(yīng)鏈中的一些問題。以下是對(duì)此情況的分析：一、NAND控制器缺貨背景市場需求增長：隨著科技的發(fā)展，尤其是人工智能、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對(duì)存儲(chǔ)器的需求不斷增加。NAND閃存作為主流的存儲(chǔ)器之一，其需求量也隨之增加。供應(yīng)鏈緊張：由于全球半導(dǎo)體......

NAND Flash缺貨確實(shí)為SLC NAND帶來了一定的市場機(jī)遇，以下是對(duì)這一現(xiàn)象的詳細(xì)分析：一、NAND Flash缺貨背景市場需求激增：近年來，隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)高性能、高穩(wěn)定性的存儲(chǔ)需求不斷增長。NAND Flash作為主流的非易失性存儲(chǔ)器之一，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦、固態(tài)硬盤（SSD）等領(lǐng)域。因......

根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù)，三星在2020年第四季度NAND閃存芯片市場的占比確實(shí)達(dá)到了32.9%。以下是對(duì)此數(shù)據(jù)的詳細(xì)解讀：一、市場占比情況三星：2020年第四季度，三星NAND閃存芯片的銷售額達(dá)到了46.44億美元，市場占比高達(dá)32.9%，位居市場第一。這一數(shù)據(jù)表明，三星在NAND閃存芯片領(lǐng)域具有強(qiáng)大的市場競爭力和技術(shù)......

DRAM（Dynamic Random Access Memory）與NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器，它們在多個(gè)方面存在顯著的區(qū)別。以下是對(duì)這兩種存儲(chǔ)器的詳細(xì)對(duì)比：一、基本定義與工作原理DRAM定義：DRAM是一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是目前計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中常見的內(nèi)存類型之一。工作原理：DRAM基于電容器和晶體管結(jié)構(gòu)，電容器用于存儲(chǔ)電荷以表示二......

DRAM（Dynamic Random Access Memory，即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和NAND閃存是兩種不同的存儲(chǔ)技術(shù)，它們在許多方面存在本質(zhì)區(qū)別。以下是對(duì)這兩種存儲(chǔ)技術(shù)的詳細(xì)比較：一、存儲(chǔ)原理DRAM存儲(chǔ)單元：DRAM使用電容器存儲(chǔ)電荷來表示數(shù)據(jù)，電容器充滿電表示“1”，沒電表示“0”。數(shù)據(jù)保持：由于電容器中的電荷會(huì)泄漏，DRAM......

DRAM與NAND的工作原理及區(qū)別一、DRAM的工作原理DRAM（Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種易失性存儲(chǔ)器，即斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失。它是計(jì)算機(jī)中最常見的內(nèi)存形式，用于臨時(shí)存儲(chǔ)CPU需要處理的數(shù)據(jù)和指令。存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)：DRAM的基本存儲(chǔ)單元由一個(gè)晶體管（MOSFET）和一個(gè)電容器（Capa......

TDK推出的使用3D NAND閃存的高可靠性固態(tài)硬盤（SSD）是存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的一項(xiàng)重要?jiǎng)?chuàng)新。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品概述TDK推出的高可靠性SSD采用了先進(jìn)的3D NAND閃存技術(shù)，并結(jié)合了TDK自有的NAND閃存控制IC“GBDriver GS2”。這些SSD產(chǎn)品針對(duì)工業(yè)、醫(yī)療、智能電網(wǎng)、交通和安全等關(guān)鍵應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，提供了......

FORESEE NAND-based MCP（nMCP）在助力物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴市場方面發(fā)揮著重要作用。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)分析：一、產(chǎn)品概述nMCP是FORESEE微存儲(chǔ)產(chǎn)品線推出的一款基于NAND的多芯片封裝（MCP）存儲(chǔ)產(chǎn)品。它將NAND記憶體和低功耗DRAM合封于同一個(gè)封裝中，滿足了物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備對(duì)低功耗、小型化的需求。二、產(chǎn)品特......

兆易創(chuàng)新（GigaDevice）近期發(fā)布的全國產(chǎn)化24nm工藝SPI NAND Flash存儲(chǔ)芯片（如GD5F全系列），標(biāo)志著中國在嵌入式存儲(chǔ)器領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從工藝制程、IP核到封測全鏈條自主可控，填補(bǔ)了國內(nèi)高密度SPI NAND Flash的技術(shù)空白。以下從技術(shù)參數(shù)、應(yīng)用場景、國產(chǎn)化突破、競品對(duì)比、開發(fā)者價(jià)值五大維度解析其行業(yè)影響。一、技術(shù)參......

2021年10月，英特爾宣布以90億美元的價(jià)格將其NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)（包括中國大連工廠）出售給韓國SK海力士（SK hynix）。這一交易是半導(dǎo)體行業(yè)近年來規(guī)模最大的資產(chǎn)剝離之一，標(biāo)志著英特爾戰(zhàn)略重心向邏輯芯片（如CPU、GPU、AI加速器）的深度聚焦。以下從交易細(xì)節(jié)、行業(yè)影響、戰(zhàn)略邏輯及潛在風(fēng)險(xiǎn)等維度展開分析。一、交易核心內(nèi)容交易標(biāo)......

產(chǎn)業(yè)鏈人士提出NAND閃存平均銷售價(jià)格在農(nóng)歷新年前仍會(huì)下滑的觀點(diǎn)，這一判斷與近期市場動(dòng)態(tài)和行業(yè)趨勢相呼應(yīng)。以下為具體分析：從近期市場表現(xiàn)來看，部分現(xiàn)貨NAND價(jià)格已出現(xiàn)下滑趨勢，這主要受智能手機(jī)、PC等消費(fèi)電子出貨量放緩影響，導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片供需關(guān)系短期失衡。同時(shí)，供應(yīng)商正通過調(diào)價(jià)策略加速庫存去化，進(jìn)一步加劇了價(jià)格下滑壓力。行業(yè)研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)......