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利用雙MOSFET LFPAK56D最大限度地提高開關轉換器應用的功率密度和性能(BUK7S1R0-40H和PSMN014-40HLDX)
利用雙MOSFET LFPAK56D最大限度地提高開關轉換器應用的功率密度和性能...
　　作者：Jens Wallmann　　工業和汽車開關轉換器和電機驅動器需要體積小、效率高且產生最小電噪聲的金屬氧化物硅場效應晶體管 (MOSFET)。雙 MOSFET 方法有助于滿足這些要求。　　通過將兩個 MOSFET 放入單個封裝中，精心設計的雙 MOSFET 可以減少印刷電路板 (PCB) 上的空間占用，減少寄生電感，并通過提......
開關轉換... MOSF... LFPA...
2024-02-28
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onsemi NVBLS0D8N08X單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應用
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onsemi NVBLS0D8N08X單n溝道功率mosfet封裝在5mm x 6mm平面引線封裝中，便于高效設計。onsemi NVBLS0D8N08X mosfet具有可濕性側面選項，用于增強光學檢查，確保質量控制。mosfet通過AEC-Q101認證，可用于汽車應用。特性占地面積小(5mm x 6mm)低R (DS(上))低QG和電......
ONSE... NVBL... 單n溝道...
2024-02-28
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onsemi NVMYS4D5N04C單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應用
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onsemi NVMYS4D5N04C單n溝道功率mosfet專為汽車應用而設計，采用5mm x 6mm LFPAK封裝。onsemi NVMYS4D5N04C實現了緊湊高效的設計，同時確保了高熱性能。mosfet通過AEC-Q101認證，并具備PPAP能力，可用于需要增強板級可靠性的汽車應用。特性低R (DS(上))低QG和電容通過AE......
ONSE... NVMY... 單n溝道...
2024-02-28
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onsemi NVMFS024N06C單n溝道功率mosfet具有緊湊的設計，占地面積小，為5mm x 6mm。onsemi NVMFS024N06C mosfet是空間高效應用的理想選擇，具有低R(DS(on))。mosfet最大限度地減少傳導損耗，確保高效的電源管理。此外，低QG和電容有助于最大限度地減少驅動器損耗。特性低QG和電容低......
ONSE... NVMF... 單n溝道...
2024-02-28
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onsemi nvh045n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應用
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onsemi nvh045n065sc1碳化硅(SiC) mosfet采用EliteSiC技術，提供卓越的開關性能。與傳統的硅mosfet相比，onsemi NVHL045N065SC1具有更高的可靠性。mosfet的低ON電阻和緊湊的芯片尺寸導致低電容和柵極電荷，有助于高效率，快速工作頻率，增加功率密度，減少電磁干擾(EMI)，以及更緊......
ONSE... nvh0... 碳化硅M...
2024-02-28
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onsemi nvh025n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應用
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onsemi nvh025n065sc1碳化硅(SiC) mosfet是EliteSiC 25毫歐， 650V mosfet，提供卓越的開關性能。與硅相比，onsemi nvh025n065sc1具有更高的可靠性和低導通電阻。mosfet緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。系統的優點包括高效率、快速工作頻率、增加功率密度、減少EMI和減......
ONSE... nvh0... 碳化硅M...
2024-02-28
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Nexperia BXK9Q29-60A n溝道MOSFET的介紹、特性、及應用
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安派瑞BXK9Q29-60A n溝槽MOSFET是一種采用溝槽MOSFET技術的小型SOT8002-3 (MLPAK33) SMD塑料封裝中的增強模式場效應晶體管(FET)。該n溝道MOSFET具有邏輯級兼容，快速開關，并且在175°C下完全符合AEC-Q101標準。BXK9Q29-60A溝槽MOSFET的最大漏源電壓為60V，最大漏極峰......
Nexp... BXK9... n溝道M...
2024-02-27
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Nexperia BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M n溝道mosfet的介紹、特性、及應用
Nexperia BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M n溝道mo...
Nexperia BUK7Y1R0-40N;BUK7Y3R1-80M n溝道mosfet的設計和合格符合AEC-Q101要求，具有高性能和耐用性。這些mosfet提供快速高效的開關，具有最佳的阻尼和低尖峰。BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M n溝道mosfet封裝在LFPAK56封裝中。BUK7Y1R0-40N n溝道MO......
Nexp... BUK7... BUK7...
2024-02-27
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LTC2927 DC/DC轉換器實現負載點的電源跟蹤和排序:易于設計，沒有mosfet的缺點
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多電壓電子系統通常承擔著復雜的電源電壓跟蹤或排序要求，如果不滿足這些要求，可能會導致系統故障甚至現場永久故障。在負載點(POL) DC/DC轉換器分散在PC板空間，有時在不同的板平面上的分布式電源架構中，滿足這些要求的設計困難往往更加復雜。問題是，電源電路往往是最后的電路設計到板，它必須被硬塞到任何小的板房地產是留下的。集中式序列跟蹤解決......
LTC2... DC/D...
2024-02-26
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Vishay SISD5300DN n溝道30v MOSFET的介紹、特性、及應用
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Vishay的多功能30v n通道TrenchFET Gen V功率MOSFET采用3.3 mm × 3.3 mm PowerPAK 1212-F封裝，采用源翻轉技術。SiSD5300DN與PowerPAK 1212-8S占用相同的空間，導通電阻降低18%以提高功率密度，而其源翻轉技術將熱阻降低了+63°C/W至+56°C/W。此外，MO......
Vish... SISD... MOSF...
2024-02-02
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onsemi NTJD5121N/NVJD5121N雙N-Ch功率mosfet的介紹、特性、及應用
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onsemi NTJD5121N/NVJD5121N雙N-Ch功率mosfet具有較低的RDS(on)、柵極閾值和輸入電容。onsemi NTJD5121N/NVJD5121N mosfet具有60V漏源電壓和295A最大連續漏極電流。NTJD5121N/NVJD5121N具有AEC-Q101認證和PPAP功能，是汽車應用的理想選擇。特性......
ONSE... NTJD... NVJD...
2024-01-30
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onsemi NTMYS003N n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應用
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onsemi NTMYS003N n溝道功率MOSFET專為緊湊高效的設計而設計，采用5mm x 6mm LFPAK封裝。該功率MOSFET具有低R(DS(ON))，低Q(G)和電容，80V漏源電壓，±20V柵源電壓，-55°C至175°C工作結和存儲溫度范圍。NTMYS003N n溝道功率MOSFET無鉛，符合RoHS標準。典型應用包括......
ONSE... NTMY... MOSF...
2024-01-29
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Littelfuse/IXYS MXB12R600DPHFC 600V x2級硅MOSFET升壓轉換器的介紹、特性、及應用
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Littelfuse/IXYS的MXB12R600DPHFC x2級Si MOSFET是一款600 V, 160毫歐， 18a升壓轉換器，將x2級n通道超結功率MOSFET與高性能快速恢復二極管結合在一起，集成到dcb隔離的i4-PAC 封裝中。這種分立、隔離封裝中的集成升壓拓撲通過減少所需分立功率元件的數量，有助于簡化熱管理。由于內置H......
IXYS MXB1... 升壓轉換...
2024-01-29
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YAGEO XSemi N溝道和p溝道功率mosfet的介紹、特性、及應用
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MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種使用金屬氧化物柵極的電壓控制場效應晶體管。YAGEO XSemi的功率mosfet(也稱為功率晶體管)具有低導通電阻和高開關速度，適用于各種應用，包括模擬和數字電路。可用的封裝廣泛用于商業和工業表面貼裝應用。與bjt不同，mosfet與載流通道是電隔離的，有助于降低器件的功耗。mosfet......
Yage... XSem... MOSF...
2024-01-29
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IXYS IXTY2P50PA系列PolarP p溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應用
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IXYS的IXTY2P50PA是一款符合aec - q101標準的PPAP， -500 V， -2 A, PolarP p通道增強模式功率MOSFET，采用TO-252 (DPAK)封裝。它使用Polar技術平臺，導致導通狀態電阻(R(DS(ON))， max = 4.2 歐姆)和柵極電荷(Q(g) = 11.9 nC)顯著降低。p溝道M......
IXYS IXTY... MOSF...
2024-01-29
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英飛凌CoolSiC汽車用750V G1 SiC溝槽mosfet雙向車載充電器的介紹、特性、及應用
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英飛凌凌CoolSiC 汽車用750V G1 SiC溝槽mosfet可幫助電動汽車制造商打造11kW和22kW雙向車載充電器，提高效率、功率密度和可靠性。這些器件在高溫(T(j,max) +175°C)下可靠地工作，具有英飛凌的專有技術。XT模具貼附技術，在同等尺寸的模具上實現最佳的熱阻抗。CoolSiC 750V G1技術提供非常高的魯......
英飛凌 Cool... 車載充電...
2024-01-25
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意法半導體STEVAL-LVLP01電機控制發現套件(STDRIVE101三相柵極驅動器和STL8N10F7功率mosfet)的介紹、特性、及應用
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意法半導體STEVAL-LVLP01電機控制發現套件基于STDRIVE101三相柵極驅動器和STL8N10F7功率mosfet，嵌入了用于驅動三相無刷直流電機的電源級和電路。使用B-G473E-ZEST1S，用戶可以在STM32微控制器上啟用ZeST和HSO算法。STEVAL-LVLP01套件支持單分流或三分流操作。用于板載電機定位反饋和......
意法半導... STEV... 電機控制...
2024-01-24
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Microchip MSC400SMA330碳化硅(SiC) MOSFET的介紹、特性、及應用
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MSC400SMA330是Microchip的SiC MOSFET器件家族的一部分。Microchip的SiC解決方案專注于高性能，有助于最大限度地提高系統效率，最小化系統重量和尺寸。Microchip經過驗證的SiC可靠性也確保了終端設備在使用壽命期間不會出現性能下降。特性低電容和低柵極電荷內部柵極電阻(ESR)低，開關速度快在高結溫下......
MICR... MSC4... MOSF...
2024-01-23
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ROHM Semiconductor RQ3L060BG功率MOSFET的介紹、特性、及應用
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ROHM Semiconductor RQ3L060BG功率MOSFET具有60V漏源電壓(V(DSS))和±15.a連續漏極電流。該n溝道MOSFET提供38毫歐低導通電阻(R(DS(on)))和14W的功耗。RQ3L060BG MOSFET工作在-55°C至150°C的工作結和存儲溫度范圍內，采用無鹵素，大功率小模具封裝(HSMT8)......
ROHM... RQ3L... MOSF...
2024-01-22
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onsemi NVMFWS003N10MC單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應用
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onsemi NVMFWS003N10MC單n溝道功率mosfet在10V R(DS(ON))和100V漏源電壓下提供169A連續漏極電流3.1毫歐。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm平面引線封裝，設計緊湊高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽車應用的理想選擇。特性占地面積小(5......
ONSE... NVMF... MOSF...
2024-01-22
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