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ROHM Semiconductor RQ3L060BG功率MOSFET的介紹、特性、及應用

來源:
2024-01-22
類別:基礎知識
eye 13
文章創建人 拍明芯城


    ROHM Semiconductor RQ3L060BG功率MOSFET具有60V漏源電壓(V(DSS))和±15.a連續漏極電流。該n溝道MOSFET提供38毫歐低導通電阻(R(DS(on)))和14W的功耗。RQ3L060BG MOSFET工作在-55°C至150°C的工作結和存儲溫度范圍內,采用無鹵素,大功率小模具封裝(HSMT8)。這款符合rohs標準的設備包含無鉛電鍍。典型應用包括開關、電機驅動和DC/DC轉換器。


    特性

    • 低導通電阻

    • 大功率小模具封裝(HSMT8)

    • 無鉛電鍍,符合rohs標準

    • 無鹵素

    • 100% Rg和ui測試


    規范

    • 60V漏源電壓(V(DSS))

    • 門源電壓(V(GSS))

    • -55°C至150°C工作結和存儲溫度范圍

    • 38 毫歐R (DS(上)(最大)

    • ±15.a連續漏極電流(I(D))

    • 14W功耗


    應用程序

    • 切換

    • 馬達驅動器

    • 直流/直流轉換器


    內部電路


    責任編輯:David

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