原標(biāo)題：泰克與忱芯強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手解決寬禁帶半導(dǎo)體測(cè)試難題

泰克與忱芯強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手解決寬禁帶半導(dǎo)體測(cè)試難題，這一合作主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：

一、合作背景與意義

隨著第三代半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展，寬禁帶功率半導(dǎo)體器件（如SiC MOSFET）的測(cè)試需求日益增加。這些器件以其高頻開關(guān)特性（被形象地稱之為“狼的速度”）在電力電子領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力，但同時(shí)也對(duì)測(cè)試系統(tǒng)提出了更高的挑戰(zhàn)，包括寄生電感控制、測(cè)試帶寬、連接方式等。泰克與忱芯的合作正是為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，為客戶提供精準(zhǔn)、全面、可靠的測(cè)試解決方案。

二、合作內(nèi)容與成果

1. 資源整合與優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)

• 泰克科技作為全球領(lǐng)先的測(cè)試、測(cè)量和監(jiān)測(cè)解決方案提供商，擁有創(chuàng)新、精確、操作簡(jiǎn)便的測(cè)試設(shè)備和技術(shù)。

• 忱芯科技作為碳化硅賽道的技術(shù)黑馬，專注于高性能碳化硅功率半導(dǎo)體模塊及自動(dòng)化測(cè)試裝備的研發(fā)。

• 雙方通過(guò)深度整合資源，優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，共同推進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步。

1. 產(chǎn)品合作與開發(fā)

• 泰克科技提供了全球獨(dú)家的TIVP光隔離探頭，該探頭具有無(wú)與倫比的帶寬（高達(dá)1GHz，是傳統(tǒng)電壓探頭帶寬的5倍以上）、動(dòng)態(tài)范圍、共模抑制（高達(dá)120dB，比傳統(tǒng)探頭提升1000倍以上）以及多功能MMCX連接器的組合。這些特性使得TIVP光隔離探頭能夠精準(zhǔn)捕捉碳化硅器件高速開關(guān)時(shí)的波形細(xì)節(jié)。

• 結(jié)合忱芯科技開發(fā)的Edison系列碳化硅功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)，該系統(tǒng)擁有高速、高頻、高可靠驅(qū)動(dòng)電路（共模瞬變抗擾度高達(dá)100V/ns）、超低回路雜感先進(jìn)疊層母排（小于10nH）、獨(dú)家雙脈沖參數(shù)算法以及高速短路電流保護(hù)（<5us），最大限度解決了寬禁帶半導(dǎo)體器件的測(cè)試難題。

2. 市場(chǎng)應(yīng)用與反饋

• Edison系列產(chǎn)品已成功導(dǎo)入多家頭部IDM企業(yè)以及功率器件封裝龍頭企業(yè)，得到了市場(chǎng)的廣泛認(rèn)可。

• 該系列產(chǎn)品不僅具有極強(qiáng)的兼容性（涵蓋碳化硅MOSFET單管及模塊產(chǎn)品，同時(shí)兼容硅IGBT、MOSFET功率器件的動(dòng)態(tài)測(cè)試），還具備高效的測(cè)試效率（測(cè)試效率高達(dá)300 UPH）。

三、未來(lái)展望

泰克與忱芯的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手不僅解決了當(dāng)前寬禁帶半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的難題，更為未來(lái)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。隨著碳化硅替代硅基器件的趨勢(shì)日益明顯，雙方將繼續(xù)投入研發(fā)資源，自主創(chuàng)新，迭代高性能產(chǎn)品，完成寬禁帶半導(dǎo)體測(cè)試裝備的全系列產(chǎn)品線覆蓋，助力中國(guó)乃至全球半導(dǎo)體行業(yè)的蓬勃發(fā)展。

綜上所述，泰克與忱芯的合作是半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的一次重要里程碑，將為寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展提供強(qiáng)有力的支持。