原標題：ST 和Exagan開啟GaN發展新篇章

ST（意法半導體）和Exagan開啟GaN（氮化鎵）發展新篇章，主要體現在以下幾個方面：

一、技術合作與并購

1. 并購背景：

• ST在2020年3月簽署了協議，收購法國GaN供應商Exagan的多數股權。這一舉措是ST在功率化合物半導體領域長期承諾的延續，旨在推動GaN技術在汽車、工業和消費市場的應用。

• Exagan是一家在外延層生長技術方面具有獨特專業知識的創新型企業，也是少數能夠在8英寸（200毫米）晶圓上大規模部署和生產GaN功率器件的公司之一。

2. 技術融合：

• 通過并購Exagan，ST獲得了其在外延工藝、產品開發和應用方面的專業知識，進一步鞏固了ST在GaN技術領域的地位。

• ST正在將Exagan的技術融入其現有晶圓廠，無需投入巨資采購專門的制造設備，從而提高了生產效率和產能。

二、產品創新與推出

1. MASTERGAN系列：

• ST在并購Exagan后，推出了MASTERGAN系列產品，這是業內首個也是唯一一個帶有兩個增強型（E-mode）GaN晶體管的系統級封裝產品。

• MASTERGAN1是該系列的首款產品，采用600V系統級封裝，在半橋拓撲中集成了一個柵極驅動器和兩個增強型GaN晶體管，為筆記本電腦和智能手機等提供了具有成本效益的電源解決方案。

2. 產品優勢：

• GaN器件具有更高的擊穿電壓和更低的通態電阻，與同尺寸的硅基器件相比，能夠處理更大的負載，能效更高，物料清單成本更低。

• GaN器件在高頻、高溫和高功率密度應用中表現出色，適用于高功耗高密度系統、大數據服務器和計算機等領域。

三、市場應用與前景

1. 市場接受度提高：

• 隨著GaN技術的不斷成熟和成本的不斷降低，越來越多的工程師和制造商開始接受并采用GaN器件。

• GaN器件頻繁地出現在日常用品中，如手機充電器等終端產品，用戶也開始探索和揭秘GaN技術的好處。

2. 未來展望：

• ST和Exagan的合作將加速GaN技術的大規模應用，推動GaN器件在消費、工業、電信和汽車等領域的廣泛應用。

• 通過整合雙方的技術和資源，ST將能夠制定明確的未來十年產品開發路線圖，為GaN技術的長期發展奠定堅實基礎。

四、面臨的挑戰與解決方案

1. 設計挑戰：

• GaN器件的特性要求開發人員在設計時需要考慮更多的因素，如柵極驅動、電壓和電流轉換速率、噪聲源和耦合布局等。

• ST和Exagan通過提供全面的技術支持和培訓，幫助工程師更好地掌握GaN器件的設計和應用。

2. 供應鏈問題：

• 某些工業產品制造商可能會因擔心潛在的PCB重新設計或采購問題而避免使用GaN器件。

• ST和Exagan通過提高產品良率和規模經濟效益，以及提供可靠的供應鏈支持，幫助制造商克服這些障礙。

綜上所述，ST和Exagan的合作為GaN技術的發展開啟了新的篇章，通過技術創新、產品推出和市場應用等方面的努力，推動了GaN技術在各個領域的廣泛應用和發展。