原標題：ST和Exagan攜手開啟GaN發展新章節

ST（意法半導體）和Exagan攜手開啟GaN（氮化鎵）發展新章節，主要體現在以下幾個方面：

一、背景與意義

氮化鎵（GaN）作為一種III-V族寬能隙化合物半導體材料，因其獨特的物理特性（如3.4 eV的能隙和1,700 cm2/Vs的電子遷移率）而備受關注。相比硅基材料（能隙1.1 eV，電子遷移率1,400 cm2/Vs），GaN具有更高的擊穿電壓和更低的通態電阻，能夠處理更大的負載，提高能效，并降低物料清單成本。這一特性使得GaN在高功耗、高密度系統、大數據服務器和計算機等領域具有巨大的應用潛力。

二、ST與Exagan的合作

1. 股權收購：

• ST在2020年3月收購了Exagan的多數股權，這一舉措標志著ST對GaN技術的長期承諾和投入。Exagan是一家擁有獨特外延層生長技術的法國創新型企業，也是少數能夠在8英寸（200毫米）晶圓上大規模部署和生產GaN功率器件的公司之一。

2. 技術整合與產品開發：

• 通過此次收購，ST不僅獲得了Exagan的外延工藝、產品開發和應用經驗，還增強了其在汽車、工業和消費級高頻大功率GaN領域的技術積累。ST和Exagan共同推進了GaN技術的研發和應用，為市場帶來了更高效、更可靠的功率器件解決方案。

3. 產品推出：

• 2020年9月，ST推出了業內首個600V系統級封裝MASTERGAN1。該系列產品采用半橋拓撲集成一個柵極驅動器和兩個增強式GaN晶體管，為設計高成本效益的筆記本電腦、手機等產品電源提供了新的選擇。這是市場上首個且唯一的集成兩個增強式GaN晶體管的系統級封裝產品。

三、GaN技術的優勢與挑戰

1. 優勢：

• 高效能：GaN功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力，適合高功耗、高密度系統的應用需求。

• 低成本：盡管初期投資可能較高，但GaN器件的物料清單成本更低，長期使用下來具有成本優勢。

• 廣泛應用：GaN器件在服務器、電信、工業、電動汽車和個人電子等多個領域都有廣泛的應用前景。

2. 挑戰：

• 設計復雜度：GaN器件的特性要求開發人員在設計時考慮更多因素，如柵極驅動、電壓和電流轉換速率等。

• 供應鏈問題：部分工業產品制造商可能因擔心潛在的PCB重新設計或采購問題而避免使用GaN。

四、未來展望

隨著ST和Exagan在GaN技術領域的深入合作，GaN器件的大規模應用將加速推進。更大的晶圓尺寸和更高的規模經濟效益將進一步降低生產成本，提高產品競爭力。同時，隨著工程師對GaN技術了解和掌握程度的提高，GaN器件將在更多領域得到廣泛應用，為行業帶來革命性的變化。

總之，ST和Exagan攜手開啟GaN發展新章節，不僅推動了GaN技術的研發和應用，也為行業帶來了新的機遇和挑戰。隨著技術的不斷進步和應用領域的不斷拓展，GaN器件的未來發展前景將更加廣闊。