原標題：東芝的碳化硅功率模塊新技術提高了可靠性的同時減小了尺寸

東芝的碳化硅（SiC）功率模塊新技術確實在提高可靠性的同時減小了尺寸，這一技術的創新主要體現在以下幾個方面：

一、技術背景與優勢

1. 碳化硅材料特性：

• 碳化硅相比傳統硅材料，具有更高的電壓承受能力和更低的損耗，因此被廣泛視為功率器件的新一代材料。

• 然而，碳化硅器件的可靠性一直是其應用受限的主要問題之一，特別是在高壓功率模塊中，封裝本身也必須具備高度的可靠性。

2. 東芝新技術：

• 東芝通過一種全新的銀（Ag）燒結技術進行芯片焊接，實現了有效提高封裝可靠性的目標。

• 銀燒結技術可以顯著降低焊接性能劣化，抑制芯片中隨時間推移而增加的導通電阻。

• 銀燒結層的熱電阻僅為焊接層的一半，使模塊中的芯片可以更加緊密地靠近，從而縮小了尺寸。

二、新技術應用與成果

1. iXPLV封裝技術：

• 東芝將這一新技術命名為iXPLV，并成功應用于3.3kV級碳化硅功率模塊的批量生產。

• 該技術不僅提高了產品的可靠性，還減少了20%的封裝尺寸。

2. 量產碳化硅模塊：

• 東芝已經量產了覆蓋1200V、1700V、2200V、3300V電壓等級的碳化硅模塊產品。

• 這些產品采用了iXPLV封裝技術，具有低雜散電感、低熱阻、高可靠性等特點。

3. 第三代SiC產品：

• 東芝的第三代SiC產品采用了MOS中內置SBD的技術路線，實現了產品差異化。

• 這些產品具有低導通損耗、低開關損耗、高可靠性等優勢，被廣泛應用于充電樁、數據中心、新能源發電、馬達等領域。

三、市場影響與未來展望

1. 市場影響：

• 東芝的碳化硅功率模塊新技術提高了產品的可靠性和性能，滿足了更多不同客戶的需求。

• 該技術還有助于減小設備的功率損耗和冷卻裝置的尺寸，降低了系統的整體成本。

2. 未來展望：

• 隨著清潔能源需求的不斷增長，包括新能源發電、輸配電、列車牽引等領域將會有更大的市場增長空間。

• 東芝將繼續在碳化硅領域進行技術創新和產品研發，以滿足市場對更高效、更可靠功率器件的需求。

• 同時，東芝也將加強與產業鏈上下游企業的合作，共同推動碳化硅功率器件的應用和發展。

綜上所述，東芝的碳化硅功率模塊新技術在提高可靠性的同時減小了尺寸，為市場帶來了差異化產品，滿足了更多不同客戶的需求。該技術不僅有助于降低系統的整體成本和提高性能，還為東芝在碳化硅領域的未來發展奠定了堅實基礎。