原標題：臺積電2nm工藝重大突破！2023年投入試產

臺積電在2nm工藝上確實取得了重大突破，并且計劃在2023年投入試產。以下是對臺積電2nm工藝及其相關信息的詳細歸納：

一、研發進展

• 突破性進展：臺積電在2nm工藝研發上取得了顯著進展，這得益于其采用的創新性多橋通道場效晶體管（MBCFET）架構。該架構與3nm和5nm所采用的鰭式場效晶體管（FinFET）截然不同，解決了FinFET在制程微縮過程中遇到的電流控制漏電的物理極限問題。

• 研發時間線：臺積電早在2019年的年報中就首次披露了2nm工藝的研發計劃。經過不斷努力，預計在2023年下半年，該公司的風險試產良率將達到驚人的90%。這一進度領先于業界其他競爭對手。

二、技術特點

• MBCFET架構：臺積電選擇了環繞閘極（GAA）制程為基礎的MBCFET架構來研發2nm工藝。這一架構的創新設計，成功解決了FinFET在制程微縮過程中的物理極限問題，并實現了性能的提升和功耗的降低。

• 極紫外光（EUV）微顯影技術：隨著極紫外光（EUV）微顯影技術的不斷進步，臺積電多年來研發的納米片（Nano Sheet）堆疊關鍵技術也日趨成熟，為2nm工藝的實現提供了有力支持。

三、生產計劃

• 試產計劃：臺積電計劃在2023年下半年對2nm工藝進行風險試產，并有望在2024年實現大規模投產。這一計劃體現了臺積電在半導體工藝領域的持續領先地位和強大的研發實力。

• 產能規劃：為了支持2nm工藝的研發與生產，臺積電已規劃在新竹寶山建設P1至P4四個超大型晶圓廠，占地總面積超過90公頃。這將為2nm工藝的量產提供充足的產能保障。

四、市場展望

• 技術領先：臺積電在2nm工藝上的重大突破不僅彰顯了其在半導體工藝領域的領先地位，也為全球半導體產業的發展注入了新的活力。隨著2nm工藝的逐步量產，臺積電有望進一步鞏固其在高端芯片市場的領先地位。

• 市場需求：隨著5G、物聯網、人工智能等技術的不斷發展，對高性能芯片的需求日益增加。臺積電2nm工藝的量產將滿足市場對高性能、低功耗芯片的需求，推動相關產業的快速發展。

綜上所述，臺積電在2nm工藝上取得了重大突破，并計劃在2023年投入試產。這一進展不僅體現了臺積電在半導體工藝領域的領先地位和強大研發實力，也為全球半導體產業的發展帶來了新的機遇和挑戰。