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力特/IXYS
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力特/IXYS
LITTELFUSE/IXYS
IXYS Integrated Circuits Division(原 Clare, Inc.)是 IXYS 的子公司,致力于為通信、工業、電源和消費市場設計、制造和銷售高電壓集成電路 (IC) 和光隔離固態繼電器 (OptoMOS?)。 作為固態繼電器 (SSR) 的開發先驅,該公司已成為電信、安防、公用事業計量和工業控制行業的領先供應商。IXYS Integrated Circuits Division 的解決方案在很多應用中迅速取代了原有的機電器件,并增強了系統總體性能。他們將繼續開發具有更高的集成度和電氣性能的領先產品。
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IXYS ix4352ne9a低側SiC MOSFET和ight驅動器(柵極驅動...
IXYS IX4352NE 9A低側SiC MOSFET和IGBT驅動器是柵極驅動器,設計用于驅動SiC MOSFET和大功率IGBT。IXYS IX4352NE柵極驅動器具有獨立的9A源和接收輸出,允許定制的導通和關斷時間,同時最大限度地減少開關損耗。內部負電荷調節器提供用戶可選擇的負柵極驅動偏置,以提高dV/dt抗擾度和更快的關斷速度...
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2024-03
IXYS SRU6008DS2RP靈敏可控硅的介紹、特性、及應用
IXYS SRU6008DS2RP靈敏可控硅是一種600V高正向阻斷可控硅,適用于高壓電容器放電應用。該可控硅具有高脈沖電流處理能力和100A/μs的高di/dt臨界上升速率額定值。IXYS SRU6008DS2RP敏感可控硅具有未定義的反向,不能正常工作。典型的應用包括電容放電產生的高壓脈沖,用于電圍欄,接觸電武器(CEW)和大功率頻閃...
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2024-02
Littelfuse/IXYS MXB12R600DPHFC 600V x2級硅...
Littelfuse/IXYS的MXB12R600DPHFC x2級Si MOSFET是一款600 V, 160毫歐, 18a升壓轉換器,將x2級n通道超結功率MOSFET與高性能快速恢復二極管結合在一起,集成到dcb隔離的i4-PAC 封裝中。這種分立、隔離封裝中的集成升壓拓撲通過減少所需分立功率元件的數量,有助于簡化熱管理。由于內置H...
7
2024-01
IXYS IXTY2P50PA系列PolarP p溝道功率MOSFET的介紹、特...
IXYS的IXTY2P50PA是一款符合aec - q101標準的PPAP, -500 V, -2 A, PolarP p通道增強模式功率MOSFET,采用TO-252 (DPAK)封裝。它使用Polar技術平臺,導致導通狀態電阻(R(DS(ON)), max = 4.2 歐姆)和柵極電荷(Q(g) = 11.9 nC)顯著降低。p溝道M...
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2024-01
IXYS MCMA140P1600TA-NI晶閘管模塊的介紹、特性、及應用
IXYS MCMA140P1600TA-NI晶閘管模塊具有平面鈍化芯片和直接銅鍵合ai2o3陶瓷,用于線頻應用。這些模塊提供先進的電源循環,PCB安裝的焊接引腳和長期穩定性。IXYS MCMA140P1600TA-NI晶閘管模塊工作在1600V(RSM/DSM)最大重復反向/正向阻斷電壓,140A平均正向電流和520W總功耗額定。晶閘管模...
5
2024-01
IXYS STS802U2SRP 1.5A敏感雙可控硅的介紹、特性、及應用
IXYS STS802U2SRP 1.5A敏感雙可控硅提供高靜態dv/dt與低關斷(tq)時間。IXYS STS802U2SRP可控硅具有高達20A的浪涌能力,最高可達1600V非重復正向峰值off-state電壓,最高可達1200V非重復反向阻塞電壓。這些可控硅設計用于接地故障斷路器,電弧故障斷路器,剩余電流器件和具有過載保護應用...
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2023-02
IXYS STS802U2SRP 1.5A敏感型雙通道SCR
IXYS STS802U2SRP 1.5A敏感型雙通道SCR是一款具有特定特性和應用的半導體可控硅整流器(SCR)。以下是關于這款SCR的詳細信息:基本參數型號:STS802U2SRP電流等級:1.5A類型:敏感型雙通道SCR特性高靜態dv/dt:SCR具有高的靜態dv/dt(電壓變化率),這意味著它能在高頻率和高電壓變化率的條件下穩定工...
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2022-08
IXYS STP802U2SRP 1.5A敏感型雙通道
IXYS STP802U2SRP 1.5A敏感型雙通道SCR是一款具有特定特性和應用的半導體可控硅整流器(SCR)。以下是關于這款SCR的詳細信息和特點:基本參數型號:STP802U2SRP電流等級:1.5A類型:敏感型雙通道SCR主要特性高靜態dv/dt:這款SCR具有高的靜態dv/dt(電壓變化率),使得它在高頻率和高電壓變化率的條件...
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2022-08
IXYS MDNA700P2200CC 高壓整流模塊
IXYS MDNA700P2200CC高壓整流模塊是一款高性能的半導體模塊,主要用于電源管理領域。以下是關于該模塊的詳細介紹:主要參數:直流反向耐壓:2100V,顯示了模塊承受反向電壓的能力。平均整流電流:700A,這是模塊在正常工作條件下能夠處理的平均電流值。正向壓降:未直接給出具體數值,但一般整流模塊的正向壓降是反映其效率的重要指標。...
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2022-08
IXYS xt 200V X4超結功率mosfet的介紹、特性、及應用
IXYS xt 200V X4超結功率MOSFET是一款N溝道增強模式器件,具有以下特點:低導通電阻:R(DS(on))為10.6毫歐或13毫歐,能夠降低導通損耗,提高效率。高雪崩額定:具備雪崩級高功率密度,能夠承受高能量的雪崩擊穿,保證器件的可靠性。低封裝電感:有助于減少開關過程中的電壓尖峰和振鈴,提高系統的穩定性。高功率密度:可以在較...
20
2022-06
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