北愛爾蘭SOI襯底制造商IceMOS Technology Ltd日前開發了一種全新的貫穿晶圓互連技術（through-wafer interconnect technology）。該公司成立于2004年，專為MEMS和IC市場提供SOI（絕緣體上的硅）襯底。 IceMOS Technology擁有一家晶圓廠，可制造100、125、150和200毫米不同規格的晶圓。該公司主要業務有晶圓鍵合、鍵合SOI襯底和溝槽填充SOI襯底等特殊工程襯底。該公司最新開發的貫穿晶圓互連技術能幫助IC和MEMS器件設計者克服封裝上的部分困難。運用該技術之后，可將部分封裝工序轉移至晶圓級來完成。客戶可以獲得在晶圓內已完成部分互連的晶圓襯底，并且與CMOS工藝完全兼容。