成都海威華芯科技有限公司（以下簡稱“公司”）成立于2010年，在GaAs（砷化鎵）、InP（磷化銦）、GaN（硅基氮化鎵、碳化硅基氮化鎵）、SiC（碳化硅）等四大化合物材料領(lǐng)域，公司已形成自主可控、門類齊全、制程完備的第二、三代化合物半導(dǎo)體芯片研發(fā)、設(shè)計(jì)與制造技術(shù)。面向射頻、功率、光電三大科技創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)域，各項(xiàng)產(chǎn)品性能參數(shù)達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、業(yè)內(nèi)先進(jìn)的水平。公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于國家重點(diǎn)項(xiàng)目、5G通信、雷達(dá)、基站、光通訊、衛(wèi)星通信、物聯(lián)網(wǎng)、新能源等領(lǐng)域。