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安森美50t65sqdc混合IGBT的介紹、特性、及應用
安森美50t65sqdc混合IGBT的介紹、特性、及應用
安森美50T65SQDC混合IGBT是一款高性能的電力電子器件，以下是對其介紹、特性及應用的詳細闡述：一、介紹安森美50T65SQDC混合IGBT是安森美半導體公司推出的一款新型混合IGBT，它采用了最新的場截止IGBT和SiC肖特基二極管技術。這款混合IGBT將硅基IGBT與SiC肖特基勢壘二極管聯合封裝，從而在硅基方案的較低性能和完全......
安森美 50t6... IGBT
2021-06-21
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安森美FGHL50T65SQ FS4高速IGBT的介紹、特性、及應用
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以下是關于安森美FGHL50T65SQ FS4高速IGBT的詳細介紹、特性及應用：一、介紹安森美FGHL50T65SQ FS4是一款高速IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），它采用了新型Field Stop第4代技術。這款IGBT具有高電流能力、低飽和電壓、高輸入阻抗和快速開關等特性，從而確保了良好的性能和高效率。二、特性高電流能力：FGHL5......
FGHL... IGBT 安森美
2021-06-16
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Vishay VOD3120Ax IGBT & MOSFET驅動程序的介紹、特性、及應用
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以下是關于Vishay VOD3120Ax IGBT和MOSFET驅動程序的介紹、特性及應用的詳細解答：一、介紹Vishay VOD3120Ax是一款專為IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）設計的驅動程序。該驅動程序由Vishay Intertechnology公司推出，采用先進的CMOS技術和Al......
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2021-06-15
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比亞迪半導體：西安研發中心即將啟用，計劃發布全新 IGBT6.0 芯片
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比亞迪半導體：西安研發中心即將啟用，并計劃發布IGBT6.0芯片比亞迪半導體，作為比亞迪集團的全資子公司，近年來在半導體領域取得了顯著的進展。為了進一步提升產品研發和技術實力，比亞迪半導體決定在西安啟用全新的研發中心，并計劃在此發布其全新的IGBT6.0芯片。一、西安研發中心的啟用比亞迪半導體在全國擁有五大研發及生產制造基地，分別是深圳、......
功率半導... IGBT... 智能控制...
2021-05-18
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ROHM推600V耐壓通用型IGBT IPM 兼具降噪和低噪聲特性
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ROHM（羅姆半導體集團）推出的600V耐壓通用型IGBT IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊）確實兼具降噪和低損耗特性。以下是對該產品的詳細介紹：一、產品系列與特點ROHM推出的600V耐壓通用型IGBT IPM主要包括BM6337x系列和BM6437x系列。這兩個系列的產品都通過優化內置FRD（Fa......
車載級產... 驅動電路 功率器件
2021-04-25
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ROHM開發出兼具出色的降噪和低損耗特性的 600V耐壓IGBT IPM“BM6437x系列”
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ROHM（羅姆半導體集團）確實開發出了兼具出色的降噪和低損耗特性的600V耐壓IGBT IPM“BM6437x系列”。以下是對該系列產品的詳細介紹：一、產品概述BM6437x系列是ROHM新開發的四款600V耐壓IGBT IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊），它們兼具出色的降噪和低損耗特性。二、產品特點......
ROHM... 小容量電... 變頻器
2021-04-21
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瑞能半導體亮相2021慕尼黑上海電子展覽會
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X-FAB作為全球公認的卓越的模擬/混合信號與光電半導體解決方案晶圓代工廠，不斷增強其技術產品組合以滿足市場需求。關于X-FAB增強其180nm高壓CMOS技術產品組合中的車用嵌入式閃存產品，以下進行詳細介紹：一、技術背景與優勢X-FAB推出的這款新的閃存IP利用了其得到廣泛驗證的氮化硅氧化物（SONOS）技術。該技術具備更高的性能水平和......
瑞能半導... 光伏發電... IGBT
2021-04-16
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東芝將新建 300mm 晶圓廠，用于生產 MOSFET 和 IGBT
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TCL電子重磅發布的高端Mini LED智屏，確實引領了智能家居的一個嶄新時代。以下是對該事件的詳細分析：一、TCL電子與Mini LED智屏的發布TCL電子作為科技行業的領軍企業，一直致力于創新技術的研發和應用。此次發布的高端Mini LED智屏，是TCL在Mini LED技術領域的又一次重大突破。Mini LED技術作為顯示技術的一種......
雙極晶體... 存儲裝置 功率器件
2021-03-15
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IGBT價格_IGBT品牌排行
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以下是關于IGBT價格及品牌排行的詳細分析：一、IGBT價格IGBT的價格因型號、品牌、封裝形式、購買數量以及市場供需情況等多種因素而異。以下是一些IGBT價格的參考信息：價格范圍：IGBT的價格從幾十元到幾千元甚至更高不等。價格示例：在一些電商平臺上，可以找到各種品牌和規格的IGBT，價格因型號和封裝形式而異。例如，一些低功率、小封裝的......
IGBT... IGBT... IGBT
2021-02-04
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IGBT模塊價格_IGBT模塊品牌排行
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以下是關于IGBT模塊價格及品牌排行的詳細分析：一、IGBT模塊價格IGBT模塊的價格因品牌、型號、功率、封裝形式以及購買數量等多種因素而異。以下是一些IGBT模塊價格的參考信息：價格范圍：IGBT模塊的價格從幾百元到幾千元甚至上萬元不等。價格示例：在一些電商平臺上，可以找到各種品牌和規格的IGBT模塊，價格因型號和功率而異。例如，一些低......
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2021-02-04
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一文解析MOS管／三極管／IGBT之間的關系
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MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管）、三極管（也稱雙極型晶體管、晶體三極管）以及IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）都是電子器件中的重要成員，它們在電路設計和應用中發揮著各自......
三極管
2021-02-04
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如何使用IGBT模塊簡化電機驅動裝置和逆變器的設計
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使用IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊可以顯著簡化電機驅動裝置和逆變器的設計。以下是如何利用IGBT模塊實現這一目標的詳細分析：一、IGBT模塊的基本優勢高度集成化：IGBT模塊將多個功率器件組合到一個封裝中，減少了互連的復雜性，從而簡化了組裝過程。性能提升：IGBT模塊具有較高的電壓和電流承受能力，以及快速的開關特性，這有助于提高電機驅......
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2021-01-25
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將ADuM4135柵極驅動器與Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊配合使用
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將ADuM4135柵極驅動器與Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊配合使用，能夠充分發揮兩者的技術優勢，實現高效、可靠的功率轉換。以下是具體應用分析：一、ADuM4135柵極驅動器特性高電壓隔離與驅動能力提供單通道隔離驅動，支持最高30 V的正向電源，具備7 A源電流和灌電流驅動能力，能夠直接驅動1......
柵極驅動...
2020-11-12
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英飛凌在華投資計劃：豐富IGBT產品線，助力新能源汽車發展
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一、投資背景與目標背景：全球新能源汽車（NEV）市場高速增長，中國作為最大市場，2023年銷量占全球超60%。IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是新能源汽車電機控制器、車載充電機（OBC）和DC-DC轉換器的核心功率器件，成本占比約20%。英飛凌作為全球IGBT龍頭，占據中國新能源車IGBT模塊市場約30%份額，但面臨本土廠商（如比亞迪半導體......
新能源汽... 英飛凌
2020-11-09
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