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ST VIPERGAN50 E模式GaN HEMT 50W高壓轉換器參考設計方案
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ST VIPERGAN50 E模式GaN HEMT 50W高壓轉換器參考設計方案詳解在電源設計領域，隨著消費者對設備小型化、高效能和快速充電需求的不斷提升，傳統硅基功率器件已難以滿足日益嚴苛的性能要求。氮化鎵（GaN）作為一種第三代半導體材料，憑借其高電子遷移率、高擊穿電壓和低導通電阻等特性，正逐漸成為高功率密度電源設計的核心選擇。ST ......
VIPE... 高壓轉換...
2025-05-19
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HEMT管和III類管有什么區別？
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一、概念與范疇界定HEMT（高電子遷移率晶體管）依賴2DEG導電，無需反型層，電子遷移率極高（如GaN HEMT的2DEG遷移率可達2000 cm2/V·s以上）。適用于高頻（毫米波）、高壓、高功率場景。III-V族化合物半導體（如GaAs、InP、GaN、AlGaN/GaN異質結）。典型結構：AlGaAs/GaAs（第一代HEMT）、I......
HEMT...
2025-04-29
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MOS管和HEMT管有什么區別？
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一、結構與材料差異特性MOSFET（以硅基為例）HEMT（以氮化鎵GaN HEMT為例）材料體系硅（Si）襯底 + 二氧化硅（SiO?）柵介質氮化鎵（GaN）異質結（如AlGaN/GaN） + 無傳統柵介質導電溝道形成機制通過柵極電壓在P型襯底上形成N型反型層（電子溝道）通過晶格失配產生的極化效應在異質結界面形成二維電子氣（2DEG）柵極......
HEMT...
2025-04-29
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chemi-con鋁電解電容器
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Chemi-Con鋁電解電容器詳細介紹一、引言鋁電解電容器（Aluminum Electrolytic Capacitor）是一種利用鋁箔和鋁氧化膜作為電極、以電解液作為介質的電容器。它廣泛應用于電子設備中，尤其是在電源、濾波、去耦等電路中。Chemi-Con（捷美康）作為世界知名的鋁電解電容器制造商，憑借其高品質、穩定性和長期的市場經驗......
Chem... 鋁電解電...
2024-12-24
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Chemi-Con LRB Snap-In鋁電解電容器的介紹、特性、及應用
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Chemi-Con LRB Snap-In鋁電解電容器與以前的Snap-In電容器相比，具有更高的電容額定值，高紋波電流范圍和更高頻率下的更低ESR。電容器在+105°C下具有5000小時的耐久性，產品壽命長。LRB系列符合RoHS2標準和非耐溶劑型電容器系列。Chemi-Con LRB Snap-In鋁電解電容器是平滑紋波電流和高頻驅動......
Chem... LRB ... 鋁電解電...
2024-04-10
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United Chemi-Con HXF鋁有機聚合物電容器的介紹、特性、及應用
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　　United Chemi-Con (UCC) HXF鋁有機聚合物電容器提供更高的紋波電流能力和小型化，使該系列非常適合用于汽車電氣設備。這些導電聚合物混合鋁電解電容器(AECs)提供高可靠性和4000小時的續航能力，在+135°C和紋波電流。HXF系列保證短時工作溫度為+150°C。其他特性包括25V(DC)至63V(DC)額定電壓......
聚合物電... Unit...
2023-02-16
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United Chemi Con HXC系列電解電容器的介紹、特性、及應用
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United Chemi-Con HXC系列電解電容器是一種高性能的電解電容器，屬于United Chemi-Con公司的產品線。United Chemi-Con是Nippon Chemi-Con的全資子公司，于1970年在美國成立，是北美最大的鋁電解電容器制造商和供應商。HXC系列電容器是該公司為滿足行業不斷變化的需求而不斷開發和推出的......
Unit... SMD芯... 電解電容...
2022-11-23
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United Chemi-Con KVF和KVD系列多層陶瓷電容器的介紹、特性、及應用
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United Chemi-Con的KVF和KVD系列多層陶瓷電容器（MLCC）是高性能的電子元件，因其超高體積效率、高紋波電流能力、高溫度性能和極高可靠性而備受矚目。這些電容器是MIL-STD-202級和+150°C溫度級產品，適用于從航空航天到汽車引擎室和工業領域有著最苛刻溫度要求的應用。特性高溫度性能：KVF和KVD系列MLCC具有出......
Unit... 陶瓷電容... MLCC...
2022-11-23
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United Chemi Con GQB串聯電容器的介紹、特性、及應用
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United Chemi-Con的GQB系列電容器是一款適用于多種應用場景的徑向引線型鋁電解電容器。該系列電容器特別推薦用于汽車EPS、LED、DFI和ECU模塊，以提供平滑和保持功能。同時，GQB系列電容器也適用于汽車變速箱、電動水泵等高溫應用。特性耐紋波電流：在150°C下，GQB系列電容器可承受長達1,000小時的耐紋波電流，顯示出......
Unit... 串聯電容... 鋁電解電...
2022-10-26
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United Chemi-Con HXF 鋁有機聚合物電容器
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United Chemi-Con HXF鋁有機聚合物電容器是一款高性能的電容器產品，以下是關于其特點的詳細介紹：高紋波電流能力和小型化：HXF系列電容器提供更高的紋波電流能力和小型化設計，使其非常適合用于汽車電氣設備。這種導電聚合物混合鋁電解電容器（AECs）在保證高可靠性的同時，實現了4000小時的續航能力，特別是在+135°C和紋波電......
聚合物電... Unit... 鋁有機聚...
2022-08-12
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Wolfspeed CMPA901A035F GaN HEMT MMIC的介紹、特性、及應用
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Wolfspeed CMPA901A035F是一款基于氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）技術的單片微波集成電路（MMIC）。這款MMIC結合了氮化鎵和碳化硅（SiC）技術的優勢，專為高效率、高增益和寬帶寬能力而設計。特性工作頻率：CMPA901A035F適用于9.0 GHz到10.0 GHz的頻率范圍，適用于X波段的雷達和連續......
晶體管
2022-07-26
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Digi-Key Electronics 推出新的 Scheme-it 功能 新功能包括 Ultra Librarian 符號集成、定制符號編輯器和數學標記
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Digi-Key Electronics 推出的新Scheme-it功能主要包括以下幾個方面：一、Ultra Librarian符號集成功能介紹：該功能從Digi-Key的產品目錄中引入了大約200萬個Ultra Librarian的詳細、美觀的符號和圖像。這使得用戶在設計電子電路圖和原理圖時，能夠更方便地找到并使用這些高質量的符號，從而......
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2021-10-27
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United Chemi-Con KMZ鋁電解卡扣電容器的介紹、特性、及應用
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United Chemi-Con KMZ鋁電解卡扣電容器是United Chemi-Con公司生產的一種高性能電容器產品。以下是對其介紹、特性及應用的詳細分析：一、介紹United Chemi-Con是一家全球性的電容器制造商，由日本科學技術公司Nihon Chemi-Con Corporation于1934年創立。該公司憑借其最先進的技......
Unit... KMZ 電容器
2021-09-24
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United Chemi-Con HXC鋁電解電容器的介紹、特性、及應用
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United Chemi-Con是Nippon Chemi-Con的全資子公司，成立于1970年，總部位于美國伊利諾伊州的羅林梅多斯。該公司是北美最大的鋁電解電容器制造商和供應商，擁有超過8000種獨特的產品，包括固態導體聚合物和鋁電容、耐高溫高振動電容等。雖然直接關于HXC系列鋁電解電容器的詳細介紹可能不直接體現在公開資料中，但我們可以......
鋁電解電... Unit... HXC
2021-09-24
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50余款達國際一流水平的國產SiC SBD、SiCMOS、GaN HEMT及應用DEMO即將亮相PCIM展
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50余款達國際一流水平的國產SiC SBD（肖特基二極管）、SiC MOS（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）及應用DEMO即將亮相PCIM展（即深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會），這一消息體現了中國在第三代半導體材料和技術領域的顯著進步。以下是對這一事件的詳細解析：一、參展背景與意義PCI......
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2021-08-26
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英特爾推出獨立顯卡對于DIY玩家來說，確實是一個值得關注的事件，但也不能過早地高興。以下是對這一事件的詳細分析：一、英特爾獨立顯卡的推出背景英特爾作為CPU領域的巨頭，近年來在顯卡市場也有所動作。從1998年與Real3D合作推出的i740獨顯，到2009年流產的Larrabee獨顯，再到基于Xe架構的DG1獨顯，英特爾一直在嘗試進軍高性......
雙路放大... 遷移率晶... WCDM...
2021-08-24
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貿澤備貨Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT 賦能4G和5G通信應用
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貿澤電子（Mouser Electronics）作為專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商，已經備貨了Qorvo的QPD0011 GaN-on-SiC HEMT（高電子遷移率晶體管），這一舉措旨在賦能4G和5G通信應用。以下是關于該產品的詳細介紹：一、產品特點技術領先：QPD0011是一款基于碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）......
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2021-08-24
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mini-circuits TAV2-14LN+ MMIC E-PHEMT晶體管的介紹、特性、及應用
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Mini-Circuits TAV2-14LN+ MMIC E-PHEMT晶體管是一款性能卓越的微波單片集成電路（MMIC）產品，以下是該晶體管的詳細介紹、特性以及應用領域：一、介紹Mini-Circuits TAV2-14LN+ MMIC E-PHEMT晶體管是一款結合了高增益和極低噪聲系數的晶體管，專為通信系統中的靈敏接收器設計。它采......
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2021-08-04
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ROHM開發出針對150V GaN HEMT的8V柵極耐壓技術
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ROHM（羅姆半導體）確實開發出了針對150V GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）的8V柵極耐壓技術，以下是對該技術的詳細分析：一、技術背景與意義隨著IoT設備的日益普及和服務器系統需求的不斷增長，功率轉換效率的提升和設備的小型化已成為重要的社會課題。GaN器件因其更低的導通電阻值和更優異的高速開關性能，在基站和數據中心等領域被......
ROHM 功率元器... 晶體管
2021-04-09
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Teledyne e2v HiRel的650 V系列產品新增兩款大功率GaN HEMT
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Teledyne e2v HiRel的650V系列產品確實新增了兩款大功率GaN HEMT，以下是關于這兩款產品的詳細介紹：一、產品概述Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術的650伏行業領先高功率產品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管），分別是TDG650E30B和TDG650E15......
GaN ...
2021-01-11
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