DDR3內存與DDR2內存相似包含控制器和存儲器2個部分，都采用源同步時序，即選通信號（時鐘）不是獨立的時鐘源發送，而是由驅動芯片發送。它比 DR2有更高的數據傳輸率，最高可達1866Mbps；DDR3還采用8位預取技術，明顯提高了存儲帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低。 　　DDR3接口設計實現比較困難，它采取了特有的Fly-by拓撲結構，用“Write leveling”技術來控制器件內部偏移時序等有效措施。雖然在保證設計實現和信號的完整性起到一定作用，但要實現高頻率高帶寬的存儲系統還不全面，需要進行仿真分析才能保證設計實現和信號質量的完整性。